另一個(gè)最為關(guān)鍵的方面是保持柵氧的完整性
發(fā)布時(shí)間:2016/6/16 21:12:28 訪問(wèn)次數(shù):1013
另一個(gè)最為關(guān)鍵的方面是保持柵氧的完整性。清洗工藝可能會(huì)破壞柵氧從而使其粗糙, OP262DRUZ-REEL尤其是較薄的柵氧更易受到損害。在MOs傳感器中,柵氧是用來(lái)做絕緣介質(zhì)的,因此它必須具有=致的結(jié)構(gòu)、表面狀態(tài)和厚度。柵氧的完整性是靠測(cè)試柵的電性短路來(lái)測(cè)量的。半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)(sIA)的國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖指出,在180nm的長(zhǎng)度上,用5MV/cm的電壓測(cè)試30s,缺陷密度應(yīng)低于0.Ⅱ缺陷/cm2。
對(duì)于后道工序(Bcfore End of unc,BEOL)的清洗,除了顆粒問(wèn)題和金屬離子的問(wèn)題,通常的問(wèn)題是陰離子、多晶硅柵的完整性、接觸電阻、過(guò)孔的清潔程度、有機(jī)物以及在金屬布線中總的短路和開(kāi)路的數(shù)量,光刻膠的去除也是FEOL和BEOL都存在的重要清洗工藝。
不同的化學(xué)物質(zhì)與清洗方法相結(jié)合以適應(yīng)工藝過(guò)程中特殊步驟的需要。典型的FEOL清洗工藝(如氧化前的清洗)包括顆粒去除(機(jī)械的)、通常的化學(xué)清洗(如硫酸、氫氣、氧氣)、氧化物去除(典型的稀釋的HF)、有機(jī)物和金屬去除(SC―D、堿金屬和氫氧化物去除(SC―2)、漂洗步驟和晶圓烘干,如表3,12所示。
該種FEOL清洗稱為非HF結(jié)尾的工藝。其他的類型是以HF去除工藝收尾的清洗。非HF結(jié)尾的表面是親水性的,可以被烘干而不留任何水印,同時(shí)還會(huì)生成(在清洗過(guò)程中形成)一層薄的氧化膜從而對(duì)其產(chǎn)生保護(hù)作用。這樣的表面也容易吸收較多的有機(jī)污染物。HF結(jié)尾的表面是憎水性的,在有親水性(氧化物)表面存在時(shí)不容易被烘干而不留水印。這樣的表面由于氫的表面鈍化作用而異常穩(wěn)定。對(duì)于HF結(jié)尾或非HF結(jié)尾工藝的選擇,取決于晶圓表面正在制造的器件的敏感度及其對(duì)清潔程度的要求。
另一個(gè)最為關(guān)鍵的方面是保持柵氧的完整性。清洗工藝可能會(huì)破壞柵氧從而使其粗糙, OP262DRUZ-REEL尤其是較薄的柵氧更易受到損害。在MOs傳感器中,柵氧是用來(lái)做絕緣介質(zhì)的,因此它必須具有=致的結(jié)構(gòu)、表面狀態(tài)和厚度。柵氧的完整性是靠測(cè)試柵的電性短路來(lái)測(cè)量的。半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)(sIA)的國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖指出,在180nm的長(zhǎng)度上,用5MV/cm的電壓測(cè)試30s,缺陷密度應(yīng)低于0.Ⅱ缺陷/cm2。
對(duì)于后道工序(Bcfore End of unc,BEOL)的清洗,除了顆粒問(wèn)題和金屬離子的問(wèn)題,通常的問(wèn)題是陰離子、多晶硅柵的完整性、接觸電阻、過(guò)孔的清潔程度、有機(jī)物以及在金屬布線中總的短路和開(kāi)路的數(shù)量,光刻膠的去除也是FEOL和BEOL都存在的重要清洗工藝。
不同的化學(xué)物質(zhì)與清洗方法相結(jié)合以適應(yīng)工藝過(guò)程中特殊步驟的需要。典型的FEOL清洗工藝(如氧化前的清洗)包括顆粒去除(機(jī)械的)、通常的化學(xué)清洗(如硫酸、氫氣、氧氣)、氧化物去除(典型的稀釋的HF)、有機(jī)物和金屬去除(SC―D、堿金屬和氫氧化物去除(SC―2)、漂洗步驟和晶圓烘干,如表3,12所示。
該種FEOL清洗稱為非HF結(jié)尾的工藝。其他的類型是以HF去除工藝收尾的清洗。非HF結(jié)尾的表面是親水性的,可以被烘干而不留任何水印,同時(shí)還會(huì)生成(在清洗過(guò)程中形成)一層薄的氧化膜從而對(duì)其產(chǎn)生保護(hù)作用。這樣的表面也容易吸收較多的有機(jī)污染物。HF結(jié)尾的表面是憎水性的,在有親水性(氧化物)表面存在時(shí)不容易被烘干而不留水印。這樣的表面由于氫的表面鈍化作用而異常穩(wěn)定。對(duì)于HF結(jié)尾或非HF結(jié)尾工藝的選擇,取決于晶圓表面正在制造的器件的敏感度及其對(duì)清潔程度的要求。
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