強反型時,表面耗盡層中的空間電荷面密度隨襯底雜質(zhì)濃度的增大而增大,閾值電壓也隨之而變化。 M0334RC200雖然閾值電壓表達式中的餌、‰s和幺都隨襯底雜質(zhì)濃度的改變而變化,但在一般器件的參雜范圍內(nèi),影響最大的仍然是魷。所以可以用改變襯底雜質(zhì)濃度的辦法,通過魷的變化來調(diào)整閾值電壓。當忽略雜質(zhì)濃度變化對餌和‰s的影響時,由于離子注入所引起的閾值電壓增量.可見,改變溝道摻雜注入劑量就能夠控制和調(diào)整MOs器件的閾值電壓。當襯底雜質(zhì)濃度低于1013cm3時,閾值電壓基本不隨雜質(zhì)濃度變化,而由表面態(tài)電荷密度么s決定;當襯底雜質(zhì)濃度較高時,閾值電壓隨雜質(zhì)濃度的變化而迅速改變。

   當MOs結構加上襯底偏置電壓時,表面耗盡層隨著襯底偏置電壓的增大而展寬,空間電荷面密度也隨之增大,由此引起閾值電壓的漂移。不論是N型硅還是P型硅,其費米勢都隨著襯底雜質(zhì)濃度的增大而上升。而在對數(shù)坐標上,隨襯底濃度增大而上升的速度很慢。因此,當改變襯底濃度時,閾值電壓表達式中的費米勢的變化不大;但當環(huán)境溫度變化時,費米勢將會有顯著的改變。