其中,‰為閾值電壓;硨:為平帶電壓;為脈沖的最高電壓;%:L為脈沖的最低電壓。 M0334RJ120即選擇脈沖時(shí),脈沖高度要大于閾電壓與平帶電壓的差值,并且脈沖基準(zhǔn)電壓吒:.要小于硨:,最高電壓/c:H大于Kh。脈沖頻率一般選在0。l~100kHz范圍內(nèi),因?yàn)榇藭r(shí)的電荷泵電流乓P與脈沖頻率成正比,脈沖頻率僅影響飽和泵電流的大小,而不影響界面態(tài)密度的值。

   在一個(gè)脈沖周期中,當(dāng)MOSFET被脈沖偏置到反型時(shí),表面成為深耗盡,少子將從源和漏流進(jìn)溝道,在這里它們中的一部分將被界面陷阱所俘獲。當(dāng)柵脈沖把表面驅(qū)動(dòng)成積累狀態(tài)時(shí),可動(dòng)電荷在漏源反偏壓的作用下將反貫穿進(jìn)漏和源區(qū),這時(shí)被界面陷阱所俘獲的電荷將與從襯底來(lái)的多子相結(jié)合,從而產(chǎn)生凈的電荷流進(jìn)襯底。當(dāng)脈沖反復(fù)作用時(shí),將形成泵電流。由此可知,漏源反偏壓的作用: (l)在表面處于積累狀態(tài)時(shí),驅(qū)動(dòng)可動(dòng)電荷遷移回漏源區(qū),為形成泵電流提供條件;

   使漏源結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。因此,漏源反偏壓對(duì)形成泵電流是重要的。漏源反偏壓越大,將可能引起越多非界面陷阱電荷成分的自由電荷加入到襯底泵電流形成之中,從而引起飽和泵電流輕微的增長(zhǎng)。