MOS電容由金屬層(Metal)、氧化層(Oxide)和半導(dǎo)體(Semi∞nductor)襯底組成。M0334RJ200由于所有半導(dǎo)體元器件的可靠性、穩(wěn)定性與表面特性有密切的關(guān)系,在研究半導(dǎo)體表面特性時,MOS電容是最常用的基本結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)如圖9.8所示。

   (a)MOs電容組成               (b)MOS電容的結(jié)構(gòu)

   圖98 MOs電容及等效電路圖

   MOs結(jié)構(gòu)實際就是一個電容,因此當(dāng)金屬與半導(dǎo)體之間加電壓后,在金屬與半導(dǎo)體相對的兩個面上就要被充電。兩者所帶的電荷符號相反,電荷分布情況也很不同。在金屬中自由電子密度很高,電荷基本分布在一個原子層的厚度范圍內(nèi);而在半導(dǎo)體中,自由載流子的密度要低得多,電荷必須分布在一定厚度的表面層內(nèi),這個帶電的表面層稱為空間電荷區(qū)。在空間電荷區(qū)內(nèi)電場逐漸減弱,到空間電荷區(qū)的另一端電場減小為零。另一方面空間電荷區(qū)內(nèi)的電勢也會隨距離逐漸變化,因此半導(dǎo)體表面相對體內(nèi)產(chǎn)生電勢差,同時能帶也發(fā)生彎曲。稱空間電荷層兩端的電勢差為表面勢。表面勢及空間電荷區(qū)內(nèi)電荷的分布情況隨金屬與半導(dǎo)體間所加的電壓/Gs而變化,可以分為堆積、耗盡和反型3種狀態(tài)。