MOs管的Dummy
發(fā)布時間:2016/6/28 23:15:18 訪問次數(shù):5771
MOs管的Dummy
在MOS管的兩側增加Dummy POly,避免柵的長度受到影響,如圖8.17所示。ADR510ART-R2當要加保護環(huán)時,對NMOS管先加P型保護環(huán)連接到地,接著加N型保護環(huán)連接到電源。對PMOS先加N型保護環(huán)連接到電源,接著加P型保護環(huán)連接到地。
電阻和電容的Dummy
類似于MOs的Dummy方法,有時會在四周都增加Dummy。在多晶或擴散區(qū)電阻的下面增加N阱可以減輕噪聲對電阻的影響,N阱連接高電位與襯底反偏,如圖8.18(a)所示。為了降低光照使電阻阻值下降的影響,應在N阱電阻上面覆蓋金屬并連接高電位。
電容增加Dummy方法與MOs管類似,N阱用于阻擋來自襯底的噪聲,N阱接高電位,而襯底則反偏,如圖8.18(b)所示。
MOs管的Dummy
在MOS管的兩側增加Dummy POly,避免柵的長度受到影響,如圖8.17所示。ADR510ART-R2當要加保護環(huán)時,對NMOS管先加P型保護環(huán)連接到地,接著加N型保護環(huán)連接到電源。對PMOS先加N型保護環(huán)連接到電源,接著加P型保護環(huán)連接到地。
電阻和電容的Dummy
類似于MOs的Dummy方法,有時會在四周都增加Dummy。在多晶或擴散區(qū)電阻的下面增加N阱可以減輕噪聲對電阻的影響,N阱連接高電位與襯底反偏,如圖8.18(a)所示。為了降低光照使電阻阻值下降的影響,應在N阱電阻上面覆蓋金屬并連接高電位。
電容增加Dummy方法與MOs管類似,N阱用于阻擋來自襯底的噪聲,N阱接高電位,而襯底則反偏,如圖8.18(b)所示。
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