Intd2116芯片是16Κ×1位動態(tài)RAM,有16個引腳,16K位應(yīng)有14條地址信號線,但2116引腳只有7個地址信號引線端A0~A6,既是列地址,又是行地址,ADIS16405BMLZ通過兩個控制信號――列地址選通信號CAS和行地址選通信號RAs來區(qū)別。2116DRAM的引腳排列如圖2.12所示。 Intc12116在工作時,RAS先有效,輸入行地址A0~A6,存入芯片內(nèi)部的行地址鎖存器,然后CAS有效,將隨之而來的A0~A6為列地址A7~A13存入列地址鎖存器。

   2116只要RAs信號有效時,該芯片開始工作,芯片三態(tài)

數(shù)據(jù)輸出端只受CAs控制。讀操作:當RAs和CAs都為低電平,WE保持高電平時,所選中的存儲單元信息送到數(shù)據(jù)輸出總線。寫操作:當RAS和CAS都為低電平,而WE保持低電平時,將數(shù)據(jù)線的信息寫入指定單元。

   刷新操作:刷新是按行進行的,要在2ms的時間里對A0~A6的128個地址輪流刷新一遍。刷新操作只需使RAS為低電平,寫入行地址,而CAs為高電平(不必讀列地址),就可以對行地址所對應(yīng)的128個存儲單元同時進行刷新。為配合刷新,芯片外部還要設(shè)計相應(yīng)的刷新電路。動態(tài)RAM的數(shù)據(jù)線一般只有一條,所以在實用中廠家或商家通常是將8片動態(tài)RAM裝配在一個RAM條上出售,以簡化系統(tǒng)的電路連接。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,新RAM芯片或器件不斷推出,像HY57V6416⒛芯片具有4M×16位的存儲空間,帶有自動刷新電路,這里就不介紹了。