帶隙寬的4H sC和6H-sC都是六方結構。其優(yōu)點BAS516是與GaN晶格失配較小(與GaN的晶格失配為3.5%、與AlN(1%)、導電、熱導率高l/I。9W/(cm・K)]。siC襯底的缺點是價格昂貴、折射率較大(2.刀)、缺陷密度高、熱失配也較大(與藍寶石不同,為正熱失配,產生張應變和容易產生裂紋)。由于siC表面容易形成一種穩(wěn)定的氧化物,阻止其分解和刻蝕,因此,在外延生長前必須對siC襯底的表面進行合理有效的處理。

   si材料本身兼具晶體質量好、導電、熱導率比較高等優(yōu)點。隨著si材料和晶體生長技術的突飛猛進,很容易獲得大尺寸⒏襯底,且易加工、成本低,這是其在生產中作為襯底有利因素。但由于si是非極性襯底,與GaN晶格失配和熱失配較大,使得生長高質量GaN更加困難。且Si本身吸收光,對于制作LED來說也是不利因素。

   A1GaInP高亮度紅黃光LED的襯底材料是GaAs,其主要原因是GaAs與紅光LED外延材料的晶格常數相匹配。由供應商提供的GaAs襯底一般都是免清洗的,并有相應的參數規(guī)范,表⒈4列出了用于紅光LED的2英寸GaAs襯底的典型參數。隨著GaAs晶體制備技術的不斷提高,3英寸和4英寸的襯底己逐步在生產中使用。