峨為與材料尺寸、熱導(dǎo)率、初始邊界條件相關(guān)的量。表4.10為計算得到的各層擴展熱阻值及各參數(shù)值.

   表中傷、乙分別AN7805為由圖⒋37和表⒋9所示方形芯片和方形熱沉模型等效為園模型后的芯片與基板的有效半徑。RΨc乃忉為芯片黏結(jié)層(Ⅱc attach l呷cr)在銅線路層的擴展熱阻。當(dāng)取熱對流系數(shù)纊15W/m2K、熱導(dǎo)率肛20W/lnIC時,可以計算得到銅線路層在陶瓷基板的擴展熱阻Rˇa。銅電路層和陶瓷層的總擴展熱阻為5.871灼W,該陶瓷COB封裝的LED器件的總熱阻為體熱阻與擴展熱阻之和,為7.11刃W。而表⒋7所示的各層總的體熱阻為1.z KjW。該器件的總熱阻為8,35KrW。由此可見,陶瓷基板的擴展熱阻是影響系統(tǒng)熱阻

的主要因素。關(guān)于擴展熱阻的詳細(xì)求解分析可參考文獻(xiàn)[8、9]。

4.6,7 抗靜電特性靜電主要由摩擦或感應(yīng)產(chǎn)生的,靜電放電(Elcc饣o-static Dls曲argc,EsD)損傷是半導(dǎo)體器件面臨的一個基本問題,LED亦不例外。

    LED在制造、篩選、測試、包裝、儲運及安裝使用等各個環(huán)節(jié)都將受到靜電的影響,靜電若得不到及時釋放,將在LED電極上形成靜電高壓,當(dāng)該電壓超過LED的最大承受后,聚集在LED上的靜電電荷將以極短的時間(納秒量級)'在LED芯片電極之間放電,瞬態(tài)的能量將對p-n結(jié)形成致命性的不可恢復(fù)損傷,使LED器件漏電或短路失效。