抗靜電特性
發(fā)布時(shí)間:2016/11/3 21:00:48 訪問次數(shù):743
靜電主要由摩擦或感應(yīng)產(chǎn)生的,靜電放電(Elcc饣o-static Dls曲argc,EsD)損傷是半導(dǎo)體器件面臨的一個(gè)基本問題,LED亦不例外。
LED在制造、篩選、測試、包裝、儲(chǔ)運(yùn)及AN8806SBM安裝使用等各個(gè)環(huán)節(jié)都將受到靜電的影響,靜電若得不到及時(shí)釋放,將在LED電極上形成靜電高壓,當(dāng)該電壓超過LED的最大承受值后,聚集在LED上的靜電電荷將以極短的時(shí)間(納秒量級)'在LED芯片電極之間放電,瞬態(tài)的能量將對p-n結(jié)形成致命性的不可恢復(fù)損傷,使LED器件漏電或短路失效。
LED抵抗ESD損傷的能力與半導(dǎo)體材料性質(zhì)有關(guān)。G獻(xiàn)s基紅、黃光LED襯底材料的導(dǎo)電性能好,當(dāng)遇到靜電電荷時(shí)候能較容易將其釋放掉,故抗靜電能力較好。藍(lán)寶石襯底的GaN基藍(lán)、綠光LED的襯底電絕緣,易于積累靜電電荷;且電極在芯片同一側(cè),電極之間的距離很小,特別容易被靜電放電擊穿。
對LED器件一般要進(jìn)行芯片抵抗ESD能力測試。一般有兩種模式,人體放電模式(Human bo燈mOdCl,HBM)和機(jī)器放電模式(Machinc model,MM),兩種模式的測試原理如圖⒋38所示。
靜電主要由摩擦或感應(yīng)產(chǎn)生的,靜電放電(Elcc饣o-static Dls曲argc,EsD)損傷是半導(dǎo)體器件面臨的一個(gè)基本問題,LED亦不例外。
LED在制造、篩選、測試、包裝、儲(chǔ)運(yùn)及AN8806SBM安裝使用等各個(gè)環(huán)節(jié)都將受到靜電的影響,靜電若得不到及時(shí)釋放,將在LED電極上形成靜電高壓,當(dāng)該電壓超過LED的最大承受值后,聚集在LED上的靜電電荷將以極短的時(shí)間(納秒量級)'在LED芯片電極之間放電,瞬態(tài)的能量將對p-n結(jié)形成致命性的不可恢復(fù)損傷,使LED器件漏電或短路失效。
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對LED器件一般要進(jìn)行芯片抵抗ESD能力測試。一般有兩種模式,人體放電模式(Human bo燈mOdCl,HBM)和機(jī)器放電模式(Machinc model,MM),兩種模式的測試原理如圖⒋38所示。
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