MBE具有其他外延生長技術(shù)所不具各的諸多特點(diǎn),包括:①容易形成高純的單晶薄膜, H9TQ64ABJTMCUR-KUM主要由于超高真空系統(tǒng)和高純的前驅(qū)物束流;②分子束外延生長速率慢(約001~1nlh/s),低的生長速度有利于精確控制生長界面的平整度;③可隨意改變外延層的組分和摻雜濃度分布,生長具有突變界面的異質(zhì)結(jié)構(gòu);④具有極好的膜厚可控性,可實(shí)現(xiàn)單原子(或分子)層外延;⑤超高真空環(huán)境有利于實(shí)現(xiàn)原位觀察和實(shí)時監(jiān)測。MBE技術(shù)最大的不足之處在于生長速率較慢,對于外延層較厚器件(如LED),其生長時間較長,不能滿足大規(guī)模生產(chǎn)的要求。MBE技術(shù)目前主要用于生長原子級精確控制的超薄多層二維材料和器件,如超晶格、量子阱半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料、摻雜異質(zhì)結(jié)、高電子遷移率晶體管等。