噴射爐通常叉被稱為努森(Knu摁en)池或K池。在生長室內(nèi)有多個(gè)噴射爐,各噴射爐前都有快門。噴MAX1714AEEP射爐是為外延物質(zhì)加熱的源爐,加熱器通常采用電子束加熱。噴射爐能精確地保持特定溫度,噴射 出的分子、原子束流量主要取決于爐溫。在理想的噴躬爐巾,源的蒸氣壓與其固態(tài)或液態(tài)物質(zhì)處于熱力學(xué)平衡狀態(tài),僅有極少量蒸氣通過小孔噴出,小孔要足夠小,以便與爐內(nèi)物質(zhì)保持熱力學(xué)平衡狀態(tài),與噴射爐小孔相距Z的襯底到達(dá)源分子(或原子)的流密度J匚單位:mdecde√(cn√・o]可由下式給出:式中,P為爐中氣壓;A為小孔面積;N為阿伏伽德羅常量;M為分子量;R為氣體常量;乃:為玻耳茲 曼常數(shù);T(K)為爐溫;Q為蒸發(fā)潛熱。

  由式(3-22)和式(3饣3)可得到源分子流密度∫和溫度的關(guān)系,實(shí)際上為了提高生長速度和實(shí)現(xiàn)在襯底整個(gè)面積上的均勻生長,噴射爐的小孔不能過小,和理想情況有較大差距。

   MBE外延是通過調(diào)節(jié)噴射爐的爐溫來控制束流密度,從而控制外延生長速率的。構(gòu)成外延晶體的各組分和摻雜劑的濃度是通過調(diào)節(jié)爐溫來控制各個(gè)束流密度,并相對各個(gè)束流通量進(jìn)行適量調(diào)節(jié)的。通過控制各個(gè)噴射爐快門來改變生長外延薄膜的組分和摻雜劑。