靶原子氣相輸運(yùn)過程是指從靶面逸出的原子(或其他粒子)氣相質(zhì)量輸運(yùn)到達(dá)襯底的過程。 L78L15ACD常規(guī)濺射工藝,由于平板式濺射裝置真空室內(nèi)氣體壓力較高,盡管兩極板之間的距離較近(一般在10cm左右),靶原子在到達(dá)襯底表面前仍會發(fā)生多次與氣體(等離子體)粒子的碰撞,結(jié)果,襯底表面某點(diǎn)所到達(dá)的靶原子數(shù)與該點(diǎn)的到達(dá)角有關(guān)。而對于高離子濃度的磁控濺射工藝,真空室內(nèi)氣壓低,可達(dá)高真空度范圍,氣體靶原子的平均自由程大于從靶面到襯底之間的距離,因此,以一定角度從靶面逸出的靶原子,氣相輸運(yùn)軌跡是直線,襯底表面某點(diǎn)所到達(dá)的靶原子數(shù)是受遮蔽效應(yīng)限制的。

   淀積成膜過程

   淀積成膜過程是指到達(dá)襯底的靶原子在襯底表面先成核再成膜的過程。和蒸鍍的成膜過程一樣,當(dāng)靶原子碰撞襯底表面時(shí),或是一直附著在襯底上,或是吸附后再蒸發(fā)而離開。與蒸鍍相比,濺射的一個(gè)突出特點(diǎn)是入射離子與靶原子之間有較大的能量傳遞,逸出的靶原子從撞擊過程中獲得了較大動能,其數(shù)值一般可達(dá)到10~50eV。相比之下,在蒸發(fā)過程中源原子所獲得的動能一般只有0.1~1eV。由于能量增加可以提高淀積原子在襯底表面上的遷移能力,改善薄膜的臺階覆蓋能力和附著力,因此,濺射薄膜的臺階覆蓋特性和附著性都好于蒸鍍薄膜。另外,濺射工藝的襯底溫度通常為室溫,但隨著濺射淀積的進(jìn)行,受二次電子的轟擊,襯底的溫度將有所升高。通常濺射制備的是多晶態(tài)或無定形態(tài)薄膜。