光刻膠的特征量
發(fā)布時(shí)間:2017/5/26 20:43:52 訪問(wèn)次數(shù):789
表征光刻膠性質(zhì)的量有下面幾個(gè)。
1 響應(yīng)波長(zhǎng)
響應(yīng)波長(zhǎng)是能使光刻膠結(jié)構(gòu)發(fā)生變化的光(或射線)的波長(zhǎng)。為了提高光學(xué)光刻的分辨率,光刻S-1200B33-M5T1G膠在向短波方向發(fā)展。
汞燈作為光源時(shí)所用膠的響應(yīng)波長(zhǎng)是紫光,400~550nm;氙-汞燈作為光源采用近紫外膠,響應(yīng)波長(zhǎng)在360nm附近;190nm的極紫外光刻膠正在研究之中。電子束光刻膠對(duì)電子束有響應(yīng)。
2靈敏度
光刻膠的靈敏度是指單位面積上人射的使光刻膠全部發(fā)生反應(yīng)的最小光能量或最小電荷量(對(duì)電子束膠)。靈敏度以毫焦每平方厘米(Ⅱ刂/cnl9)為單位。提供給光刻膠的光能量值通常稱為曝光量。靈敏度越高,需要的光(或射線)能量越少,曝光時(shí)間越短。靈敏度太低會(huì)影響生產(chǎn)效率,所以通常希望光刻膠有較高的靈敏度。但靈敏度太高會(huì)影響分辨率。負(fù)膠的靈敏度高于正膠。
3抗蝕性
光刻膠膠膜必須保持它的黏附性,并在后續(xù)的濕刻和干刻中保護(hù)襯底表面。這種性質(zhì)稱為抗蝕性。一些干法刻蝕工藝要在高溫(如150℃)下完成,這需要光刻膠具有熱穩(wěn)定性以保持其形狀?蝕性越強(qiáng),光刻膠性能越好。
4黏滯性
對(duì)于液體光刻膠來(lái)說(shuō),黏滯性是評(píng)價(jià)其流動(dòng)特性的定量指標(biāo)。黏滯性與時(shí)間相關(guān),因?yàn)樗鼤?huì)在使用中隨著光刻膠中溶劑的揮發(fā)而增加。黏滯性非常重要,因?yàn)楣杵砻婢哂懈鞣N形貌(如臺(tái)階和狹縫),在這些地方,它會(huì)影響光刻膠的厚度和均勻性。隨著黏滯性的增加,光刻膠流動(dòng)的趨勢(shì)變小,它在硅片上的厚度增加,分辨率下降,但是抗蝕性增強(qiáng)。因此,選擇膠的黏度時(shí)應(yīng)根據(jù)需要來(lái)確定。
5黏附性
光刻膠的黏附性描述了光刻膠黏著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠必須黏附于許多不同類型的表面,包括硅、多晶硅、二氧化硅(摻雜的和未摻雜的)、氮化硅和不同的金屬。光刻膠黏附性的不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面上的圖形變形。光刻膠的黏附性必須保證光刻膠經(jīng)受住曝光、顯影和后續(xù)的工藝(如刻蝕和離子注人)條件。
表征光刻膠性質(zhì)的量有下面幾個(gè)。
1 響應(yīng)波長(zhǎng)
響應(yīng)波長(zhǎng)是能使光刻膠結(jié)構(gòu)發(fā)生變化的光(或射線)的波長(zhǎng)。為了提高光學(xué)光刻的分辨率,光刻S-1200B33-M5T1G膠在向短波方向發(fā)展。
汞燈作為光源時(shí)所用膠的響應(yīng)波長(zhǎng)是紫光,400~550nm;氙-汞燈作為光源采用近紫外膠,響應(yīng)波長(zhǎng)在360nm附近;190nm的極紫外光刻膠正在研究之中。電子束光刻膠對(duì)電子束有響應(yīng)。
2靈敏度
光刻膠的靈敏度是指單位面積上人射的使光刻膠全部發(fā)生反應(yīng)的最小光能量或最小電荷量(對(duì)電子束膠)。靈敏度以毫焦每平方厘米(Ⅱ刂/cnl9)為單位。提供給光刻膠的光能量值通常稱為曝光量。靈敏度越高,需要的光(或射線)能量越少,曝光時(shí)間越短。靈敏度太低會(huì)影響生產(chǎn)效率,所以通常希望光刻膠有較高的靈敏度。但靈敏度太高會(huì)影響分辨率。負(fù)膠的靈敏度高于正膠。
3抗蝕性
光刻膠膠膜必須保持它的黏附性,并在后續(xù)的濕刻和干刻中保護(hù)襯底表面。這種性質(zhì)稱為抗蝕性。一些干法刻蝕工藝要在高溫(如150℃)下完成,這需要光刻膠具有熱穩(wěn)定性以保持其形狀?蝕性越強(qiáng),光刻膠性能越好。
4黏滯性
對(duì)于液體光刻膠來(lái)說(shuō),黏滯性是評(píng)價(jià)其流動(dòng)特性的定量指標(biāo)。黏滯性與時(shí)間相關(guān),因?yàn)樗鼤?huì)在使用中隨著光刻膠中溶劑的揮發(fā)而增加。黏滯性非常重要,因?yàn)楣杵砻婢哂懈鞣N形貌(如臺(tái)階和狹縫),在這些地方,它會(huì)影響光刻膠的厚度和均勻性。隨著黏滯性的增加,光刻膠流動(dòng)的趨勢(shì)變小,它在硅片上的厚度增加,分辨率下降,但是抗蝕性增強(qiáng)。因此,選擇膠的黏度時(shí)應(yīng)根據(jù)需要來(lái)確定。
5黏附性
光刻膠的黏附性描述了光刻膠黏著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠必須黏附于許多不同類型的表面,包括硅、多晶硅、二氧化硅(摻雜的和未摻雜的)、氮化硅和不同的金屬。光刻膠黏附性的不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面上的圖形變形。光刻膠的黏附性必須保證光刻膠經(jīng)受住曝光、顯影和后續(xù)的工藝(如刻蝕和離子注人)條件。
上一篇:光刻膠
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 硅的幾種常用晶面上原子
- 硅晶體的不同晶面、晶向性質(zhì)有所差異,
- 二氧化硅的理化性質(zhì)及用途
- 影響濺射率的因素主要有
- CVD-TiN淀積
- 影響外延生長(zhǎng)速率的因素
- “踢出”與間隙機(jī)制擴(kuò)散
- 同一種光學(xué)介質(zhì)對(duì)不同頻率的光的折射率是不同的
- 光譜濾波
- 感應(yīng)耦合式等離子體刻蝕機(jī)(ICPR)
推薦技術(shù)資料
- 新品4MP圖像傳感器̴
- 高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)
- 分立器件&無(wú)源元件選型參數(shù)技術(shù)
- SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)應(yīng)用
- 大功率雙向 48 V-12 V DC/D C
- 單速率(Single Rate
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究