W金屬的干法刻蝕使用的氣體主要是S、Ar及O2。其中,S民在等離子體中可分解以提供F原子與W進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成氟化物WF‘,其他氟化物的氣體,如CF1、NF3等均可用來(lái)作為鎢回刻的氣體,因W風(fēng)在常溫下為氣態(tài)(沸點(diǎn)為17.1℃),極易被排出刻蝕腔,不會(huì)影響腔內(nèi)的刻蝕情況。但若使用S虱為刻蝕氣體,OPA343NA/3K最終產(chǎn)物也將有硫的存在,其缺點(diǎn)為:因硫的蒸氣壓較低,在刻蝕腔內(nèi)會(huì)有較多量的沉積,可能導(dǎo)致鎢回刻不凈;好處是栓塞中的鎢損失較少。若使用CF4為刻蝕氣體,則可能出現(xiàn)與上述相反的情況。因S虱在等離子體中提供F原子的效率優(yōu)于C△,即具有較高的刻蝕速率,因此選擇SF6為刻蝕氣體有漸多的趨勢(shì)。

    Ar在鎢回刻中起著重要的作用,因Ar對(duì)W的刻蝕屬于離子撞擊,可有效去除刻蝕時(shí)在晶片表面沉積的保護(hù)層(如硫)而減少鎢回刻不凈的現(xiàn)象。另外,02在刻蝕中只使用少量,它主要是加強(qiáng)氟化物氣體在等離子體中的解離效率及減少保護(hù)層的沉積量。因此,有無(wú)使用O2對(duì)刻蝕效果有較大的差別,如果大量使用(`時(shí)會(huì)產(chǎn)生相反的結(jié)果。

在通孔栓塞的制作過(guò)程中,因底層是金屬Al.不需使用Ti來(lái)改善接觸電阻的問(wèn)題,所以黏著層使用TN即可,這是通孔栓塞與接觸孔栓塞制作過(guò)程的區(qū)別。其他部分則相同cW栓塞工藝在應(yīng)用初期,鎢回刻時(shí)大多將介電層表面的黏著層同時(shí)去除,但現(xiàn)在趨向于保留黏著層,這樣可縮短刻蝕時(shí)間,更可減少金屬Al濺鍍前的黏著層沉積.