離子注入機分為如下類別： BAS70-04LT1G中等束流和高束流設(shè)備，高能量與氧離子注入機。離開加速管的正離子流實際上就是電流。束流高低水平可轉(zhuǎn)化為每分鐘注入的離子數(shù)量。束流越高，入射原子就越多。被注入的原子量稱為劑量( dose)。中等束流的機器可以產(chǎn)生0.5—1.7 mA范圍的束流，能量范圍為30~ 200 keV。高束流機器能產(chǎn)生能量高達(dá)200 keVI9J El束流強度達(dá)10 mA的束流。高能量離子注入機在CMOS摻雜中應(yīng)用，包括倒摻雜的阱、溝道停止和深埋層（見第16章）。

    高束流離子注入的一個問題是晶圓表面所帶電荷（晶圓帶電）大到無法接受的程度。高強度束流攜帶大量正電荷，使晶圓表面充電。正電荷從晶圓表面、晶圓體內(nèi)和束流中吸引中和電子。高電壓充電可以使表面絕緣層退化和破壞。晶圓帶電是MOS薄柵介質(zhì)層的特有問題【IO。用于中和或降低充電的方法：專門設(shè)計用于提供電子的電子槍(flood gun)，用等離子橋的辦法提供低能電子iII I，同時通過磁場控制電子路徑。1

   顯示了用于生產(chǎn)層次的離子注入機的束流與能量的關(guān)系。高能離子注入機將離子如速到10 keV到3.0 MeV能量，束流最高可達(dá)1.0 mA。氧離子注入機用做SOI應(yīng)用中的氧離子注入（見第16章）。