在應(yīng)力記憶技術(shù)發(fā)展初、中期,人們普遍認(rèn)為氮化硅的本征應(yīng)力對(duì)應(yīng)力記憶效應(yīng)有至關(guān)重要的影響。TC4428EOA因而,SMT所用的氮化硅的主流工藝通常呈現(xiàn)高頻電源功率較小,N2比例較大,沉積溫度較高的特點(diǎn),這種工藝所制備的氮化硅應(yīng)力可達(dá)1GPa以上「26]。但隨著應(yīng)力記憶機(jī)理逐漸得到澄清,很多人開始關(guān)注高溫退火之后氮化硅的應(yīng)力變化L27]以及產(chǎn)生的塑性形變大小[26~2引。對(duì)于氮化硅薄膜自身特性的研究重新成為熱點(diǎn)話題,有人提出用低拉應(yīng)力氮化硅[26],甚至是壓應(yīng)力氮化硅[27],取代傳統(tǒng)的高拉應(yīng)力氮化硅。這種方案的優(yōu)點(diǎn)在于退火之后的應(yīng)力變化非常顯著,在本征應(yīng)力的基礎(chǔ)上可以有1.2GPa以上的應(yīng)力躍升「26″7|,這種變化不但可以比傳統(tǒng)的應(yīng)力記憶效應(yīng)更好地提升NMOS的器件性能,甚至可以降低SMT對(duì)圖形尺寸分布的依賴性[27],并且不需要通過光刻、刻蝕的額外工序來去除PMOS區(qū)域的氮化硅薄膜「26卩。甚至為了進(jìn)一步降低最終的氫含量、提高拉應(yīng)力,有人研究出沉積加等離子體處理,以及沉積加紫外光照射的復(fù)合工藝,這一探索在后面將要講到的高應(yīng)力氮化硅刻蝕阻擋層技術(shù)中,被廣泛應(yīng)用。

   作為一種新興的應(yīng)力工程,SMT對(duì)NM(DS器件性能的提升有著極其重要的貢獻(xiàn),但其自身仍處于不斷的完善之中,其中氮化硅的I藝優(yōu)化日益得到業(yè)界學(xué)者的重視。不得不提的是,盡管SMT是90nm以下(尤其是65nm節(jié)點(diǎn)以下)不可或缺的利器,但應(yīng)用這種技術(shù)仍然存在不少風(fēng)險(xiǎn),主要體現(xiàn)在I藝復(fù)雜性、漏電流加劇、器件可靠性惡化等方面。