在化學(xué)電鍍的過(guò)程中,硅片土某一點(diǎn)的電流越大,電鍍的速度會(huì)越快。由于電XC17512LPD8I流是從硅片的邊緣加到硅片上的,相對(duì)于硅片的邊緣,硅片的中心需要加上銅種子層的阻值R2,見(jiàn)圖6.38(a)。這樣,中心的電流r2將小于邊緣的電流I1,使得硅片邊緣銅的厚度大于中間,這就是所謂的末端效應(yīng)。當(dāng)銅種子層的厚度變薄時(shí),R2會(huì)變大,將加大末端效應(yīng),如圖6,38(b)所示。末端效應(yīng)宏觀上增加了化學(xué)機(jī)械研磨的難度,微觀上使硅片的邊緣和中心的電鍍速率產(chǎn)生差異,從而產(chǎn)生填洞能力的差異L32。

   從圖6,38(a)的電鍍電路圖可以看出,要想減小硅片邊緣和中心電鍍速率的差異,可以有兩個(gè)方向:減小R2和增加R1。隨著線寬的縮小,銅種子層的厚度會(huì)越來(lái)越薄,這樣R2只 會(huì)越來(lái)越大,囚此,只有增加R1。降低酸的濃度可以有效地降低Rl,目前先進(jìn)的化學(xué)電鍍都采用低酸電鍍液。另外,當(dāng)發(fā)展到45nm以下的技術(shù)時(shí),僅僅用低酸已不再滿足制程的需要,需要在電鍍液中加人額外的高電阻的裝置以增加R1或者在電鍍頭的旁邊增加一個(gè)陰極以改變硅片邊緣的電流分布,從而達(dá)到降低硅片邊緣和中心電鍍速率差異的問(wèn)題。