從上面的介紹可以看出,人水方XC17512LPD8C式在整個(gè)電鍍過(guò)程中非常重要。最初的人水方式采用的是冷入水(cold cntry),等硅片完全進(jìn)人鍍液后再通電,但隨著線寬的不斷縮小,銅種子層的厚度也不斷降低,在硅片完全進(jìn)人鍍液的過(guò)程中,薄的種子層會(huì)被鍍液腐蝕而不連續(xù),在隨后的電鍍過(guò)程中產(chǎn)生缺陷。因此,隨后的化學(xué)電鍍工藝采用了熱入水(hot entry),即硅片人水之前就在硅片上加載電流,當(dāng)硅片一接觸鍍液就開(kāi)始電鍍,銅種子層就不存在被腐蝕的問(wèn)題了。但當(dāng)集成電路技術(shù)發(fā)展到65nm以下時(shí),銅種子層的厚度變得更薄,傳統(tǒng)的熱入水不再滿足要求。超薄的銅種子層具有很高的電阻,當(dāng)硅片入水的瞬間,電流密度相當(dāng)大,接觸點(diǎn)發(fā)熱,甚至?xí)蛔平?將在硅片的邊緣產(chǎn)生“C”形缺陷。此時(shí),就需要用到恒電勢(shì)人水(POT eFltry)方式,即在電鍍槽中增加一個(gè)參比電極,保持硅片上的電勢(shì)恒定,恒定人水時(shí) 為熱人水和恒電勢(shì)人水的電流密度比較,熱人水的人水點(diǎn)電流倍左右。目前,業(yè)界先進(jìn)的化學(xué)電鍍工藝都已經(jīng)采用恒電勢(shì)人水方式。