人們通過努力在硅片旋涂光刻膠前使用一種叫做丙二醇甲醚醋酸酯(分子式為CH3COOCH(CH3)CH2O CH3,PGMEA的化學溶劑)對硅片進行預(yù)處理。 TA2042F這種方法叫做節(jié)省光刻膠涂層(Resist Reduction Coatillg,RRC)。不過,如果這種方法使用不當,會產(chǎn)生缺陷。缺陷可能是由在RRC同光刻膠界面上的化學沖擊和空氣中的氨對RRC溶劑的污染有關(guān)。

   保持顯影機或者顯影模塊的排風壓力,以防止顯影過程中,在硅片旋轉(zhuǎn)過程中顯影液微小液滴的回濺。

   由于光刻膠的黏度會隨著溫度的變化而改變,可以通過有意改變硅片或者光刻膠的溫度來獲得不同的厚度。如果在硅片不同區(qū)域設(shè)定不同的溫度,可以在一片硅片上取得不同的光刻膠厚度,通過線寬隨光刻膠厚度的規(guī)律(波動線,swing curve)確定光刻膠的最佳厚度,以節(jié)省硅片、機器時間和材料[l。]。有關(guān)波動線的論述將在后續(xù)章節(jié)論述。對于抗反射層的旋涂的方法和原理也是一樣的。