當(dāng)光刻膠被旋涂在硅片表面后,必須經(jīng)過烘焙。烘焙的目的在于將幾乎所有的溶劑驅(qū)趕走。TA31065A這種烘焙由于在曝光前進(jìn)行叫做“曝光前烘焙”,簡稱前烘,又叫軟烘(soft bake)。前烘改善光刻膠的黏附性,提高光刻膠的均勻性,以及在刻蝕過程中的線寬均勻性控制。在6,3節(jié)講到的化學(xué)放大的光刻膠(chemically amplihed photore⒍st)中,前烘在一定程度上還可以用來改變光酸的擴(kuò)散長度,以調(diào)整工藝窗口的參數(shù)。典型的前烘溫度和時(shí)間在90~100℃,30s左右。前烘后硅片會(huì)被從烘焙用的熱板移到一塊冷板上,以使其回到室溫,為曝光步驟做準(zhǔn)各。

   對(duì)準(zhǔn)和曝光

   前烘后的步驟便是對(duì)準(zhǔn)和曝光(alignment and exposure)。在投影式曝光方式中,掩膜版被移動(dòng)到硅片上預(yù)先定義的大致位置,或者相對(duì)硅片已有圖形的恰當(dāng)位置,然后由鏡頭將其圖形通過光刻轉(zhuǎn)移到硅片上。對(duì)接近式或者接觸式曝光,掩膜版上的圖形將由紫外光源直接曝光到硅片上。對(duì)第一層圖形,硅片上可以沒有圖形,光刻機(jī)將掩膜版相對(duì)移動(dòng)到硅片上預(yù)先定義的(芯片的分化方式)大致(根據(jù)硅片在光刻機(jī)平臺(tái)上的橫向安放精度,一般在10~30um左右)位置。對(duì)第二層及以后的圖形,光刻機(jī)需要對(duì)準(zhǔn)前層曝光所留下的對(duì)準(zhǔn)記號(hào)所在的位置將本層掩膜版套印在前層已有的圖形上。這種套刻精度通常為最小圖形尺寸 的25%~30%。如90nm技術(shù)中,套刻精度通常為22~28nm(3倍標(biāo)準(zhǔn)偏差)。一旦對(duì)準(zhǔn)精度滿是要求,曝光便開始了。光能量激活光刻膠中的光敏感成分,啟動(dòng)光化學(xué)反應(yīng)。衡量光刻工藝好壞的主要指標(biāo)一般為關(guān)鍵尺寸(C⒒tim1)mension,CD)的分辨率和均勻性,套刻精度,產(chǎn)生顆粒和缺陷個(gè)數(shù)。