對(duì)準(zhǔn)、套刻精度
發(fā)布時(shí)間:2017/10/28 10:14:50 訪問次數(shù):3521
對(duì)準(zhǔn)(a1ignment)指的是層與層之間的套準(zhǔn)。一般來講,層與層之間的套刻(ovcd刂)精度需要在硅片關(guān)鍵尺寸(最小尺寸)25%~30%左右。RTL8212F-GR在這里將討論以下幾個(gè)方面:套刻流程、套刻的參量及方程、套刻記號(hào)、與套刻相關(guān)的設(shè)備和技術(shù)問題,以及影響套刻精度的工藝。
套刻流程分為第一層(或者前層)對(duì)準(zhǔn)記號(hào)(alignme血t mark)制作、對(duì)準(zhǔn)、對(duì)準(zhǔn)解算、光刻機(jī)補(bǔ)值、曝光、曝光后套刻精度測(cè)量以及計(jì)算下一輪對(duì)準(zhǔn)補(bǔ)值,如圖7.40所示。套刻的目的是將硅片上的坐標(biāo)與硅片平臺(tái)(也就是光刻機(jī)的坐標(biāo))最大限度地重合在一起。對(duì)于線性
的部分,有平移(Tx,TY)、圍繞垂直軸(Z)、旋轉(zhuǎn)(R)、放大率(M)四個(gè)參量。可以將硅片坐標(biāo)系(Xw,Yw)與光刻機(jī)坐標(biāo)系(XM,yM)建立以下聯(lián)系.
對(duì)準(zhǔn)(a1ignment)指的是層與層之間的套準(zhǔn)。一般來講,層與層之間的套刻(ovcd刂)精度需要在硅片關(guān)鍵尺寸(最小尺寸)25%~30%左右。RTL8212F-GR在這里將討論以下幾個(gè)方面:套刻流程、套刻的參量及方程、套刻記號(hào)、與套刻相關(guān)的設(shè)備和技術(shù)問題,以及影響套刻精度的工藝。
套刻流程分為第一層(或者前層)對(duì)準(zhǔn)記號(hào)(alignme血t mark)制作、對(duì)準(zhǔn)、對(duì)準(zhǔn)解算、光刻機(jī)補(bǔ)值、曝光、曝光后套刻精度測(cè)量以及計(jì)算下一輪對(duì)準(zhǔn)補(bǔ)值,如圖7.40所示。套刻的目的是將硅片上的坐標(biāo)與硅片平臺(tái)(也就是光刻機(jī)的坐標(biāo))最大限度地重合在一起。對(duì)于線性
的部分,有平移(Tx,TY)、圍繞垂直軸(Z)、旋轉(zhuǎn)(R)、放大率(M)四個(gè)參量。可以將硅片坐標(biāo)系(Xw,Yw)與光刻機(jī)坐標(biāo)系(XM,yM)建立以下聯(lián)系.
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