擊穿電壓的分布大致為兩個(gè)正態(tài)分布
發(fā)布時(shí)間:2018/2/8 20:25:52 訪問次數(shù):790
對(duì)于聚苯乙烯電容器,由于材料和工藝原因也會(huì)造成擊穿失效。某廠對(duì)cB14型100V5920pF±o.5%聚苯乙烯電容器進(jìn)行擊穿試驗(yàn),試驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn):HZICSTMPS2171S0G擊穿電壓的分布大致為兩個(gè)正態(tài)分布,其交接處所對(duì)應(yīng)的擊穿電壓為2kV。對(duì)擊穿的試樣逐個(gè)進(jìn)行解剖,利用顯微鏡觀察其擊穿情況,在0~2kV之間擊穿主要是由于引線頭部有尖端、毛刺、介質(zhì)薄膜沾上了導(dǎo)電雜質(zhì)和其他有害雜質(zhì),輔助引線頭與頭之間的間隙太小,引線在鋁箔上點(diǎn)焊時(shí)產(chǎn)生的毛刺或?yàn)R射的金屬籌工藝原因所導(dǎo)致的早期失效。特別是聚苯乙烯介質(zhì)薄膜,由于絕緣電阻高,其表面有較強(qiáng)的靜電吸附效應(yīng),在切割、卷繞等生產(chǎn)工序中易吸入塵埃雜質(zhì)和其他微粒。當(dāng)生產(chǎn)過程中沒有設(shè)置必要的防塵、防雜質(zhì)等凈化裝置時(shí),這些雜質(zhì)微粒會(huì)夾雜在電容器芯子的介質(zhì)和極板層之間。在電場(chǎng)作用下,介質(zhì)間形成不均勻電場(chǎng),產(chǎn)生電場(chǎng)畸變,引起雜質(zhì)表面的局部過壓而擊穿。擊穿失效是聚苯乙烯電容器早期失效的主要形式。而在2~7kV之間的擊穿樣品正態(tài)分布區(qū),擊穿則主要是引線頭部有尖端,薄膜存在厚度不均、針孔,沾上了導(dǎo)電雜質(zhì)和其他有害雜質(zhì),引線尾部有氣隙等材料以及某些工藝原因引起的,其失效屬于正常損壞。
對(duì)于聚苯乙烯電容器,由于材料和工藝原因也會(huì)造成擊穿失效。某廠對(duì)cB14型100V5920pF±o.5%聚苯乙烯電容器進(jìn)行擊穿試驗(yàn),試驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn):HZICSTMPS2171S0G擊穿電壓的分布大致為兩個(gè)正態(tài)分布,其交接處所對(duì)應(yīng)的擊穿電壓為2kV。對(duì)擊穿的試樣逐個(gè)進(jìn)行解剖,利用顯微鏡觀察其擊穿情況,在0~2kV之間擊穿主要是由于引線頭部有尖端、毛刺、介質(zhì)薄膜沾上了導(dǎo)電雜質(zhì)和其他有害雜質(zhì),輔助引線頭與頭之間的間隙太小,引線在鋁箔上點(diǎn)焊時(shí)產(chǎn)生的毛刺或?yàn)R射的金屬籌工藝原因所導(dǎo)致的早期失效。特別是聚苯乙烯介質(zhì)薄膜,由于絕緣電阻高,其表面有較強(qiáng)的靜電吸附效應(yīng),在切割、卷繞等生產(chǎn)工序中易吸入塵埃雜質(zhì)和其他微粒。當(dāng)生產(chǎn)過程中沒有設(shè)置必要的防塵、防雜質(zhì)等凈化裝置時(shí),這些雜質(zhì)微粒會(huì)夾雜在電容器芯子的介質(zhì)和極板層之間。在電場(chǎng)作用下,介質(zhì)間形成不均勻電場(chǎng),產(chǎn)生電場(chǎng)畸變,引起雜質(zhì)表面的局部過壓而擊穿。擊穿失效是聚苯乙烯電容器早期失效的主要形式。而在2~7kV之間的擊穿樣品正態(tài)分布區(qū),擊穿則主要是引線頭部有尖端,薄膜存在厚度不均、針孔,沾上了導(dǎo)電雜質(zhì)和其他有害雜質(zhì),引線尾部有氣隙等材料以及某些工藝原因引起的,其失效屬于正常損壞。
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