一對(duì)N溝道和P溝道MOS管以推挽形式△作,構(gòu)成互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體器件(Complemexltary Metal C)xide Semi∞nductor,CMOS)。其組成的反相器基本電路單元所實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路稱為CMC)S電路。M24256-BRDW6TP其特點(diǎn)是:①靜態(tài)功耗低,門功耗為納瓦級(jí);②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強(qiáng),直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口;⑤速度快,門延遲時(shí)間達(dá)納秒級(jí);⑥在模擬電路中應(yīng)用,其性能比NM(DS電路好;⑦與NMOs電路相比,集成度稍低;⑧有“自鎖效應(yīng)”,影響電路正常工作。圖1.8為當(dāng)代先進(jìn)CM()S器件結(jié)構(gòu)示意圖。

   MOS器件不斷地按比例縮小,通常伴隨柵極氧化層的厚度的減薄,發(fā)生強(qiáng)反型時(shí),溝道中的電阻將進(jìn)一步降低,M(B器件速度將進(jìn)一步提升。理論上MOsFET的柵極應(yīng)該盡可能選擇導(dǎo)電性良好的導(dǎo)體,重?fù)诫s多晶硅普遍用于制作MOS「ET的柵極,但這并非完美的選擇。采用多晶硅柵極的理由如下:M()SFET的閾值電壓主要由柵極與溝道材料的功函數(shù)之間的差異來決定,因?yàn)槎嗑Ч璞举|(zhì)上是半導(dǎo)體,所以可以通過摻雜不同極性及濃度的雜質(zhì)來改變其功函數(shù)。更重要的是,因?yàn)槎嗑Ч韬推涞紫伦鳛闇系赖墓柚g禁帶寬度相同,因此在降低PMOS或NM()S的閾值電壓時(shí),可以通過直接調(diào)整多晶硅的功函數(shù)來達(dá)成需求。反過來說,金屬材料的功函數(shù)并不像半導(dǎo)體那么易于改變,如此一來要降低MOSFET的閾值電壓就變得比較困難。而且如果想要同時(shí)降低PMOS和NM()S的閾值電壓,將需要兩種不同的金屬分別做其柵極材料,增加了I藝的復(fù)雜性;經(jīng)過多年的研究,已經(jīng)證實(shí)硅一二氧化硅界面兩種材料之問的缺陷相對(duì)而言比較少。反之,金屬一絕緣體界面的缺陷多,容易在兩者之間形成很多表面能階,大幅影響器件的性能;多晶硅的熔點(diǎn)比大多數(shù)的金屬高,而在現(xiàn)代的半導(dǎo)體工藝中,習(xí)慣在高溫下沉積柵極材料以增進(jìn)器件性能。金屬的熔點(diǎn)較低,將會(huì)影響工藝所能使用的溫度上限。