一般金屬化層(導(dǎo)體)

   一般金屬化層(導(dǎo)體)是指除鈍化層臺(tái)階、鳥嘴、跨接等不平整表面區(qū)以外所有區(qū)域上的金屬層,G28F640J5150 包括實(shí)際接觸窗口上的金屬層(條)。

   玻璃鈍化層

   玻璃鈍化層位于芯片最頂層覆蓋有源區(qū)(包括金屬化層)的透明絕緣層。但鍵合區(qū)和梁式引線上無玻璃鈍化層。

   內(nèi)連是指淀積在通孔中的金屬,實(shí)現(xiàn)相互絕緣的金屬層間的電學(xué)連接。

   主載流方向邊

   主載流方向邊是指被設(shè)計(jì)作為提供電流流入、通過或流出接觸窗口(或其他區(qū)域)的通道。

    多層金屬化層(導(dǎo)體)

   多層金屬化層(導(dǎo)體)是起電連接作用的兩層或多層金屬,各層金屬之間未用生長或淀積的絕緣材料層隔開�！跋聦咏饘佟笔侵疙攲咏饘倩瘜酉旅娴娜我粚咏饘�。

   多層布線金屬化層(導(dǎo)體)

   單層金屬或多層金屬均代表多層布線層中的一層。將幾層組合在一起,相互間用生長或淀積的絕緣材料層隔開,就構(gòu)成了多層布線金屬化層互連系統(tǒng)。用通孔通過絕緣層在某些部分有選擇性地將不同層金屬化層連在一起不影響本定義。

   非破壞性sEM

   采用特定設(shè)備參數(shù)和技術(shù)對(duì)受檢半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的輻射損傷或沾污均可忽略不計(jì)。

    鈍化層

   鈍化層是在金屬化之前用生長或淀積工藝在芯片上形成的二氧化硅、氮化硅或其他絕緣材料。

   鈍化層臺(tái)階

   鈍化層臺(tái)階是由于晶體表面不平整(如接觸窗口、擴(kuò)散孔、通孔等)形成的垂直面或斜面。

   在絕緣層上開出的孔,經(jīng)過淀積金屬實(shí)現(xiàn)不同層金屬層間的連通。

   晶圓批是指在晶圓生產(chǎn)一開始就形成的這樣一批微電路晶圓,它們作為一組,同時(shí)接受相同工藝處理,被賦予單獨(dú)的識(shí)別批號(hào)或代碼,在整個(gè)生產(chǎn)工藝過程中提供可跟蹤性并保持批的完整性。