靜電保護(hù)

   功率MOSFET和IGBT的柵極的絕緣氧化層很薄,在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合,容易引起靜電擊穿,造成柵源短路。此外,靜電擊穿電流易將柵源的金屬化薄膜鋁熔化, NTD20P06LT4G造成柵極或源極開路,故應(yīng)采取如下3個(gè)方面的措施。

   ①應(yīng)存放在防靜電包裝袋、導(dǎo)電材料包裝袋或金屬容器中,不能放在塑料袋或紙袋中。取用器件時(shí),應(yīng)拿器件管殼,而不要拿引線。

   ②將開關(guān)管接入電路時(shí),△作臺(tái)和烙鐵都必須良好接地,焊接時(shí)電烙鐵功率應(yīng)不超過(guò)25W,最好采用內(nèi)熱式烙鐵,先焊柵極,后焊漏極與源極或集電極和發(fā)射極,最好使用12~⒛V的低電壓烙鐵,且前端作為接地點(diǎn)。

   ③在測(cè)試開關(guān)管時(shí),測(cè)量?jī)x器和工作臺(tái)都必須良好接地,并盡量減少相同儀器的使用次數(shù)和使用時(shí)間,開關(guān)管的3個(gè)電極未全部接人測(cè)試儀器或電路前,不要施加電壓,改換測(cè)試范圍時(shí),電壓和電流都必須先恢復(fù)到零。