SoC/芯片組和SDK/固件微弱電流信號(hào)探測范圍10pA~10nA
發(fā)布時(shí)間:2022/9/11 11:21:40 訪問次數(shù):283
RENO模塊通過低功耗藍(lán)牙 5.0確保安全連接和數(shù)據(jù)保護(hù),并支持UART和SPI作為與用戶MCU的接口。該模塊通過了 FCC、IC和CE認(rèn)證。
iVativ在模塊中使用了ARM®CryptoCell 310加密加速器和AES 128位加密。通過API和AT指令,這款模塊可以在所有主流的MCU上使用,僅需很少或甚至不需要移植工作。iVativ RENO無縫集成基于RTOS或裸機(jī)的用戶應(yīng)用程序,并且獨(dú)立于SoC/芯片組和相應(yīng)的SDK/固件。 同樣,RENO模塊可以保證安全的啟動(dòng)過程。
RENO模塊集成PCB天線或MHF4天線連接器,iVativ還為每個(gè)型款提供了匹配的開發(fā)套件。
這款多協(xié)議模塊可在-40°C至85°C溫度范圍和5%至90%濕度范圍內(nèi)正常運(yùn)行,適用于工業(yè)環(huán)境,并且可以通過OTA DFU進(jìn)行固件更新。
32通道微弱電流信號(hào)放大器。這款產(chǎn)品編號(hào)為EMT1010的大規(guī)模數(shù)模混合集成電路,將主要針對(duì)各種工業(yè)級(jí)和醫(yī)療電子應(yīng)用,如安檢系統(tǒng)、醫(yī)療CT掃描、紅外探測、工業(yè)無損探傷和光電轉(zhuǎn)換等。該芯片是國內(nèi)首款高集成度、高性能、抗惡劣環(huán)境多通道微弱信號(hào)放大芯片。
EMT1010主要參數(shù): 微弱電流信號(hào)探測范圍10pA~10nA線性度誤差≤0.1%輸出噪聲 60μV[rms]電荷存儲(chǔ)動(dòng)態(tài)范圍 18pC、12pC、10pC、6pC積分時(shí)間2ms-20ms讀出速率 ≤3.125KSPS系統(tǒng)主時(shí)鐘0.1MHz~1MHz功耗7.5mW/channel
相對(duì)于該公司AX502產(chǎn)品, AX508的主要優(yōu)點(diǎn)為更高的功率,可實(shí)現(xiàn)更長的通話時(shí)間。
Axiom的AX508將PA安放在尺寸為5x3.5x0.9毫米的超小微型引線框架封裝內(nèi),提供了更小的占位面積。 Axiom Microdevices的CMOS功率放大器采用該公司獲得專利的分布式有源變壓器(DAT)技術(shù)開發(fā)而來,該專利技術(shù)能夠?qū)l(fā)送器輸出端和收發(fā)開關(guān)間的所有功能,用0.13微米硅CMOS工藝來進(jìn)行集成。
通過采用DAT技術(shù),Axiom Microdevices實(shí)現(xiàn)了在一個(gè)片芯上將功率增益級(jí)、小信號(hào)控制電路和50Ω輸入及輸出匹配電路集成到一起,確保了直接連接到收發(fā)器輸出端和發(fā)送/ 接受開關(guān)輸入端,而無需使用外部匹配元件,從而幫助設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)以往必須藉由專用的砷化鎵工藝技術(shù)生產(chǎn)相關(guān)器件,然后用復(fù)雜的多芯片模塊封裝的模塊的同樣性能。
RENO模塊通過低功耗藍(lán)牙 5.0確保安全連接和數(shù)據(jù)保護(hù),并支持UART和SPI作為與用戶MCU的接口。該模塊通過了 FCC、IC和CE認(rèn)證。
iVativ在模塊中使用了ARM®CryptoCell 310加密加速器和AES 128位加密。通過API和AT指令,這款模塊可以在所有主流的MCU上使用,僅需很少或甚至不需要移植工作。iVativ RENO無縫集成基于RTOS或裸機(jī)的用戶應(yīng)用程序,并且獨(dú)立于SoC/芯片組和相應(yīng)的SDK/固件。 同樣,RENO模塊可以保證安全的啟動(dòng)過程。
RENO模塊集成PCB天線或MHF4天線連接器,iVativ還為每個(gè)型款提供了匹配的開發(fā)套件。
這款多協(xié)議模塊可在-40°C至85°C溫度范圍和5%至90%濕度范圍內(nèi)正常運(yùn)行,適用于工業(yè)環(huán)境,并且可以通過OTA DFU進(jìn)行固件更新。
32通道微弱電流信號(hào)放大器。這款產(chǎn)品編號(hào)為EMT1010的大規(guī)模數(shù);旌霞呻娐,將主要針對(duì)各種工業(yè)級(jí)和醫(yī)療電子應(yīng)用,如安檢系統(tǒng)、醫(yī)療CT掃描、紅外探測、工業(yè)無損探傷和光電轉(zhuǎn)換等。該芯片是國內(nèi)首款高集成度、高性能、抗惡劣環(huán)境多通道微弱信號(hào)放大芯片。
EMT1010主要參數(shù): 微弱電流信號(hào)探測范圍10pA~10nA線性度誤差≤0.1%輸出噪聲 60μV[rms]電荷存儲(chǔ)動(dòng)態(tài)范圍 18pC、12pC、10pC、6pC積分時(shí)間2ms-20ms讀出速率 ≤3.125KSPS系統(tǒng)主時(shí)鐘0.1MHz~1MHz功耗7.5mW/channel
相對(duì)于該公司AX502產(chǎn)品, AX508的主要優(yōu)點(diǎn)為更高的功率,可實(shí)現(xiàn)更長的通話時(shí)間。
Axiom的AX508將PA安放在尺寸為5x3.5x0.9毫米的超小微型引線框架封裝內(nèi),提供了更小的占位面積。 Axiom Microdevices的CMOS功率放大器采用該公司獲得專利的分布式有源變壓器(DAT)技術(shù)開發(fā)而來,該專利技術(shù)能夠?qū)l(fā)送器輸出端和收發(fā)開關(guān)間的所有功能,用0.13微米硅CMOS工藝來進(jìn)行集成。
通過采用DAT技術(shù),Axiom Microdevices實(shí)現(xiàn)了在一個(gè)片芯上將功率增益級(jí)、小信號(hào)控制電路和50Ω輸入及輸出匹配電路集成到一起,確保了直接連接到收發(fā)器輸出端和發(fā)送/ 接受開關(guān)輸入端,而無需使用外部匹配元件,從而幫助設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)以往必須藉由專用的砷化鎵工藝技術(shù)生產(chǎn)相關(guān)器件,然后用復(fù)雜的多芯片模塊封裝的模塊的同樣性能。
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