數(shù)字交錯(cuò)式72kHz升壓PFC級(jí)穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓幅值
發(fā)布時(shí)間:2022/11/16 13:25:24 訪問次數(shù):298
MCU還將提供時(shí)鐘保護(hù)，包括兩個(gè)精度高于1%的片上振蕩器，以及看門狗和時(shí)鐘故障檢測電路。
具有數(shù)字交錯(cuò)式PFC、適用于空調(diào)的雙電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)提供了單個(gè)64引腳C2000 TMS320F2800137 MCU的硬件和軟件示例，該MCU以>97%的效率控制壓縮機(jī)和風(fēng)扇電機(jī)，具有數(shù)字交錯(cuò)式72kHz升壓PFC級(jí)，提供>96%的電源效率以及諸多常見的系統(tǒng)和通信功能。
EK-STM32F開發(fā)評(píng)估板測量STM32F103VBT6在各種模式下的功耗。例子中演示了如何進(jìn)入STM32的各種模式(RUN、SLEEP、STOP、STANDBY)，使用這個(gè)例子您可以通過EK-STM32F板上的紅色跳線(VDD、VREF+和VDDA)測量功耗。
當(dāng)然如果在EK-STM32F板子上將Vbat和電池相接，具體就是：將紅色的電源跳線帽中的從下往上數(shù)的第5個(gè)取下，從原來的水平放置改成豎直放置（和上面的VBAT相連）。
就算斷電，只要再上電，看到back up區(qū)域中的記號(hào)，一樣直接進(jìn)入時(shí)間顯示。因?yàn)閿嚯姾�，back up區(qū)域由電池供電，其中記錄的記號(hào)不會(huì)由于系統(tǒng)掉電而消失。
輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。
為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。
同時(shí)，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較高的時(shí)候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。
來源：eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考
MCU還將提供時(shí)鐘保護(hù)，包括兩個(gè)精度高于1%的片上振蕩器，以及看門狗和時(shí)鐘故障檢測電路。
具有數(shù)字交錯(cuò)式PFC、適用于空調(diào)的雙電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)提供了單個(gè)64引腳C2000 TMS320F2800137 MCU的硬件和軟件示例，該MCU以>97%的效率控制壓縮機(jī)和風(fēng)扇電機(jī)，具有數(shù)字交錯(cuò)式72kHz升壓PFC級(jí)，提供>96%的電源效率以及諸多常見的系統(tǒng)和通信功能。
EK-STM32F開發(fā)評(píng)估板測量STM32F103VBT6在各種模式下的功耗。例子中演示了如何進(jìn)入STM32的各種模式(RUN、SLEEP、STOP、STANDBY)，使用這個(gè)例子您可以通過EK-STM32F板上的紅色跳線(VDD、VREF+和VDDA)測量功耗。
當(dāng)然如果在EK-STM32F板子上將Vbat和電池相接，具體就是：將紅色的電源跳線帽中的從下往上數(shù)的第5個(gè)取下，從原來的水平放置改成豎直放置（和上面的VBAT相連）。
就算斷電，只要再上電，看到back up區(qū)域中的記號(hào)，一樣直接進(jìn)入時(shí)間顯示。因?yàn)閿嚯姾�，back up區(qū)域由電池供電，其中記錄的記號(hào)不會(huì)由于系統(tǒng)掉電而消失。
輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。
為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。
同時(shí)，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較高的時(shí)候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。
來源：eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考
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