為了使電子元器件能經(jīng)受SGM2022-MYN6/TR不同機(jī)械應(yīng)力級(jí)別的考驗(yàn)，設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)把抗力學(xué)破壞的設(shè)計(jì)作為一個(gè)重要內(nèi)容加以考慮。除了選擇高強(qiáng)度堅(jiān)硬無(wú)損材料外，變結(jié)合體為一體，減少自由運(yùn)動(dòng)、減少質(zhì)量、加強(qiáng)結(jié)合部位強(qiáng)度、減少或消除懸空結(jié)構(gòu)，控制共振，使電子元器件的固有振動(dòng)頻率遠(yuǎn)離使用時(shí)的振動(dòng)頻率等設(shè)計(jì)均可達(dá)到控制力學(xué)失效模式的目的。

           
    產(chǎn)品承受機(jī)械應(yīng)力的力學(xué)具體計(jì)算公式和經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)應(yīng)參考相關(guān)專業(yè)資料。常用的金絲直徑、鋁絲直徑與破壞強(qiáng)度的關(guān)系、內(nèi)引線直徑與最低鍵合強(qiáng)度的關(guān)系，分別見(jiàn)表1. 24，表1.25和表1.26[10]。從表1.24，表1.25可見(jiàn)，相同直徑的金絲與鋁絲（未退火），鋁絲的抗力學(xué)破壞強(qiáng)度比金絲大2.5～2.7倍；從表1. 26可知，相同直徑的內(nèi)引線，金絲的鍵合強(qiáng)度要比鋁絲高1. 25～1.3倍�？梢�(jiàn)，為提高電子元器件的抗力學(xué)破壞強(qiáng)度，合理選擇材料也是非常重要的。