圖2. 21(a)是考慮到這些電阻、電容TPIC6B595N而改畫之后的共發(fā)射極放大電路。在這里，成為問題的是基極一集電極間電容CBC .     

    基極端子的交流電壓為vi，集電極端子的交流電壓為-，所以在Cb。兩端加的電壓為vi(l+A)。為此，在Cb。上流動(dòng)的電流只是在Cb。上加Vi時(shí)的(1+A，)倍（因?yàn)榧恿?+A，倍的電壓）。
    因此，由基極端來看Cb。時(shí)，可以將Cb�？闯删哂�(1+A，)倍電容的電容器。這就是所謂的密勒效應(yīng)現(xiàn)象。
    就是說，晶體管的輸入電容C．是1+A。倍的之和。所以，如圖2.21(b)所示，C．與基極串聯(lián)電阻“形成低通濾波器。為此，在高頻范圍，電路的放大倍數(shù)下降。
    因此，想制作頻率特性更好的放大電路時(shí)，必須考慮其他的途徑。

    有關(guān)這方面內(nèi)容將在第6章的共基極放大電路中介紹。
    在晶體管的數(shù)據(jù)表中，往往以CBC與RB的乘積來表示單位為s。顯然CBC.RB越小，表示高頻特性越好。通常，低頻晶體管的值為數(shù)十至近百皮秒，高頻晶體管為數(shù)皮秒至數(shù)十皮秒。