溫度補(bǔ)償電路的工作
發(fā)布時(shí)間:2012/8/18 13:37:21 訪問次數(shù):747
該電路中是用與MOSFET溫度特性完TPIC6B595N全不同的雙極型晶管進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù),這種補(bǔ)償是否有效,需要驗(yàn)證。我們通過測(cè)定空載電流的溫度變化,來確認(rèn)溫度補(bǔ)償電路的工作。
圖5.13是在恒溫槽——能夠改變測(cè)定物環(huán)境溫度的裝置中改變環(huán)境溫度測(cè)得的空載電流隨溫度的變化(空載電流在室溫下調(diào)整為30mA)。
(這里使用的MOSFET在ID一30mA時(shí)具有正的溫度系數(shù)。但是電路整體呈現(xiàn)負(fù)溫度系數(shù)。這表明溫度補(bǔ)償電路處于過補(bǔ)償狀態(tài))
如從圖5.5所看到的那樣,對(duì)于這樣的MOSFET空載電流為30mA時(shí)應(yīng)該具有正的溫度系數(shù)。但是,圖5. 13表明溫度愈高空載電流減小。這就是說電路整體呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。
因此,補(bǔ)償有些過度了。不過也能夠說明溫度樸償電路還是像設(shè)定的那樣在工作著。
該電路中是用與MOSFET溫度特性完TPIC6B595N全不同的雙極型晶管進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù),這種補(bǔ)償是否有效,需要驗(yàn)證。我們通過測(cè)定空載電流的溫度變化,來確認(rèn)溫度補(bǔ)償電路的工作。
圖5.13是在恒溫槽——能夠改變測(cè)定物環(huán)境溫度的裝置中改變環(huán)境溫度測(cè)得的空載電流隨溫度的變化(空載電流在室溫下調(diào)整為30mA)。
(這里使用的MOSFET在ID一30mA時(shí)具有正的溫度系數(shù)。但是電路整體呈現(xiàn)負(fù)溫度系數(shù)。這表明溫度補(bǔ)償電路處于過補(bǔ)償狀態(tài))
如從圖5.5所看到的那樣,對(duì)于這樣的MOSFET空載電流為30mA時(shí)應(yīng)該具有正的溫度系數(shù)。但是,圖5. 13表明溫度愈高空載電流減小。這就是說電路整體呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。
因此,補(bǔ)償有些過度了。不過也能夠說明溫度樸償電路還是像設(shè)定的那樣在工作著。
上一篇:電路的工作波形
熱門點(diǎn)擊
- 防止電烙鐵烙鐵頭“燒死”的方法
- 袖珍數(shù)字兆歐表
- 可控硅整流器的基本工作原理
- 乙類推挽功率放大電路
- 電流表量程的擴(kuò)大
- 繼電器驅(qū)動(dòng)電路
- 再流焊機(jī)的結(jié)構(gòu)及系統(tǒng)組成
- 光耦合器的傳輸電路
- 負(fù)反饋放大電路的優(yōu)點(diǎn)
- FET中內(nèi)藏續(xù)流二極管
推薦技術(shù)資料
- 基準(zhǔn)電壓的提供
- 開始的時(shí)候,想使用LM385作為基準(zhǔn),HIN202EC... [詳細(xì)]
- Nuclei lntellig
- RISC-V子系統(tǒng)模式技術(shù)結(jié)構(gòu)
- 物理量子比特量子芯片Willo
- MPS電源管理一站式解決方案詳情
- 薄緩沖層AlGaN/GaN外延
- 2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究