FET電路中旁路電容也是重要的
發(fā)布時(shí)間:2012/5/20 19:45:38 訪問(wèn)次數(shù):1339
C3和C4是電源的去耦電容——降低電LP2985A-50DBV源對(duì)于GND的交流阻抗的電容(旁路電容)。如果沒(méi)有這個(gè)電容,電路的交流特性將出現(xiàn)異常,甚至于出現(xiàn)電路振蕩現(xiàn)象。
電容器的阻抗為1/(2Q.F.C),頻率愈高,阻抗愈低。但是實(shí)際上如圖3.9所示,由于內(nèi)部電惑成分的影響,當(dāng)超過(guò)某一頻率時(shí)阻抗反而上升。而且在結(jié)構(gòu)上,小容量電容在高頻,大容量電容在低頻,其阻抗變得更低。
因此如圖3.10所示,電源上并聯(lián)連接著小容量電容C3和大容量電容C4,所以電源對(duì)于GND的阻抗在很寬的頻率范圍內(nèi)都下降了。 但是小容量電容是為了在高頻范圍降低阻抗的,如果沒(méi)有把它配置在電源附近就會(huì)使連接電容器的布線變長(zhǎng),那么由于布線本身具有的阻抗就起不到降低電源阻抗的作用。
這里選C3為0.lruF的疊層陶瓷電容器,C4為10VF的鋁電解電容器。
一般來(lái)說(shuō),小容量電容器是0.01~0.111F的薄膜電容器或陶瓷電容器,大容量電容器是l~lOOtjt,F的鋁電解電容器。
對(duì)于這種低頻電路,幾乎所有的電路中即使沒(méi)有小電容都能夠正常工作。但是在高頻電路中,C3的作用比大容量電容器C4更重要。
需要注意的是在習(xí)慣上,旁路電容形成大容量和小容量的2way結(jié)構(gòu)。
電源是電路工作的基礎(chǔ)。而旁路電容可以說(shuō)是為電路工作所付的保險(xiǎn)費(fèi)。電路圖上即使沒(méi)有記人旁路電容,如果能夠在實(shí)際構(gòu)成電路時(shí)恰當(dāng)?shù)亟尤肱月冯娙,就說(shuō)明你已經(jīng)進(jìn)入了經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)人員的行列。
C3和C4是電源的去耦電容——降低電LP2985A-50DBV源對(duì)于GND的交流阻抗的電容(旁路電容)。如果沒(méi)有這個(gè)電容,電路的交流特性將出現(xiàn)異常,甚至于出現(xiàn)電路振蕩現(xiàn)象。
電容器的阻抗為1/(2Q.F.C),頻率愈高,阻抗愈低。但是實(shí)際上如圖3.9所示,由于內(nèi)部電惑成分的影響,當(dāng)超過(guò)某一頻率時(shí)阻抗反而上升。而且在結(jié)構(gòu)上,小容量電容在高頻,大容量電容在低頻,其阻抗變得更低。
因此如圖3.10所示,電源上并聯(lián)連接著小容量電容C3和大容量電容C4,所以電源對(duì)于GND的阻抗在很寬的頻率范圍內(nèi)都下降了。 但是小容量電容是為了在高頻范圍降低阻抗的,如果沒(méi)有把它配置在電源附近就會(huì)使連接電容器的布線變長(zhǎng),那么由于布線本身具有的阻抗就起不到降低電源阻抗的作用。
這里選C3為0.lruF的疊層陶瓷電容器,C4為10VF的鋁電解電容器。
一般來(lái)說(shuō),小容量電容器是0.01~0.111F的薄膜電容器或陶瓷電容器,大容量電容器是l~lOOtjt,F的鋁電解電容器。
對(duì)于這種低頻電路,幾乎所有的電路中即使沒(méi)有小電容都能夠正常工作。但是在高頻電路中,C3的作用比大容量電容器C4更重要。
需要注意的是在習(xí)慣上,旁路電容形成大容量和小容量的2way結(jié)構(gòu)。
電源是電路工作的基礎(chǔ)。而旁路電容可以說(shuō)是為電路工作所付的保險(xiǎn)費(fèi)。電路圖上即使沒(méi)有記人旁路電容,如果能夠在實(shí)際構(gòu)成電路時(shí)恰當(dāng)?shù)亟尤肱月冯娙,就說(shuō)明你已經(jīng)進(jìn)入了經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)人員的行列。
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