更換FET時(shí)的高頻特性
發(fā)布時(shí)間:2012/5/21 19:48:49 訪問次數(shù):1093
為了分析FET高頻特性劣MSP430F135IPMR化的原因，我們測定同一電路中僅僅更換FET時(shí)的頻率特性。
圖3.19是圖3.1電路中用2SK241替換2SK184GR時(shí)的高頻特性，這種高頻放大用FET的頻率特性優(yōu)良，截止頻率fch為15. 2MHz，約是2SK184的3倍。
圖3.20是圖3.1電路中采用功率開關(guān)用N溝MOSFET 2SK612 (NEC)時(shí)的高頻特性。電壓增益出現(xiàn)了峰值，ch為800kHz處的值降低。但是這是僅僅更換了FET的情況，如果重新設(shè)置工作點(diǎn)，還可以得到改善。
在高頻范圍電壓增益下降的原因，如照片3.8所示主要是由于裝機(jī)時(shí)裝配不當(dāng)，使高頻特性受到影響。
為了改善高頻特性，在實(shí)際裝機(jī)時(shí)布線要短，盡量降低GND的高頻阻抗，并且要采用屏蔽罩。
此外，與使用雙極晶體管時(shí)情況相同，米勒現(xiàn)象也會(huì)使高頻特性下降。
為了分析FET高頻特性劣MSP430F135IPMR化的原因，我們測定同一電路中僅僅更換FET時(shí)的頻率特性。
圖3.19是圖3.1電路中用2SK241替換2SK184GR時(shí)的高頻特性，這種高頻放大用FET的頻率特性優(yōu)良，截止頻率fch為15. 2MHz，約是2SK184的3倍。
圖3.20是圖3.1電路中采用功率開關(guān)用N溝MOSFET 2SK612 (NEC)時(shí)的高頻特性。電壓增益出現(xiàn)了峰值，ch為800kHz處的值降低。但是這是僅僅更換了FET的情況，如果重新設(shè)置工作點(diǎn)，還可以得到改善。
在高頻范圍電壓增益下降的原因，如照片3.8所示主要是由于裝機(jī)時(shí)裝配不當(dāng)，使高頻特性受到影響。
為了改善高頻特性，在實(shí)際裝機(jī)時(shí)布線要短，盡量降低GND的高頻阻抗，并且要采用屏蔽罩。
此外，與使用雙極晶體管時(shí)情況相同，米勒現(xiàn)象也會(huì)使高頻特性下降。
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