IRFB7430PBF
IRFB7430PBF屬性
- 特價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- MOSFET 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC
- 特價(jià)
- IR/Infineon
IRFB7430PBF描述
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:無(wú)鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 409 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 460 nC
Pd-功率耗散: 375 W
商標(biāo)名: StrongIRFET
封裝: Tube
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
零件號(hào)別名: SP001551786
單位重量: 6 g
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