IRF640PBF

• 發(fā)布時間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
• 

IRF640PBF屬性

IRF640PBF描述

制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220AB-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 8.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 36 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 15.49 mm
長度: 10.41 mm
系列: IRF
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.7 mm
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 0.8 S
下降時間: 8.9 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
工廠包裝數(shù)量: 50
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 14 ns
典型接通延遲時間: 8.2 ns
單位重量: 6 g


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