STP28NM50N

• 發(fā)布時間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
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STP28NM50N屬性

STP28NM50N描述

STP28NM50N MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續(xù)漏極電流: 21 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 158 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 50 nC
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 90 W
配置: Single
商標(biāo)名: MDmesh
封裝: Tube
系列: STP28NM50N
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: N-Channel MDmesh II Power MOSFET
商標(biāo): STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值: 1.5 S
下降時間: 52 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 19 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 62 ns
典型接通延遲時間: 13.6 ns
單位重量: 330 mg

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