IRF640NSTRLPBF
IRF640NSTRLPBF屬性
- 特價
- 場效應(yīng)晶體管
- MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
- 特價
- INFINEON
IRF640NSTRLPBF描述
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263AB-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 150 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 44.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 6.8 S
下降時間: 5.5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 19 ns
工廠包裝數(shù)量: 800
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
零件號別名: SP001561810
單位重量: 2 g
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