IPD320N20N3G

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
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IPD320N20N3G屬性

IPD320N20N3G描述

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無(wú)鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 34 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 22 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長(zhǎng)度: 6.5 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 28 S
下降時(shí)間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 21 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
零件號(hào)別名: G IPD320N20N3 SP001127832
單位重量: 4 g


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