STP26NM60N

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
• 

STP26NM60N屬性

STP26NM60N描述

STP26NM60N MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS:無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 165 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
系列: STP26NM60N
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.6 mm
商標(biāo): STMicroelectronics
下降時(shí)間: 50 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 25 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 85 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
單位重量: 330 mg

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