絕緣耐壓2.5kVrms內(nèi)置NTC溫度傳感器用于保護診斷功能
發(fā)布時間:2022/12/6 23:21:06 訪問次數(shù):168
sfcpixel®專利技術(shù)與超低噪聲外圍讀取電路技術(shù),在成像性能層面實現(xiàn)了全面化的提升。新產(chǎn)品通過減薄內(nèi)介電層的厚度,使金屬層實現(xiàn)輕薄化,進而使感光性能得到全面提升。
以sc4336p為例,作為2.0μm小像素尺寸傳感器,其snr1s相較前代產(chǎn)品降低了18%,同時其感光度(a光)大幅提升了25%,可實現(xiàn)媲美行業(yè)2.3μm像素尺寸同規(guī)格傳感器的暗光成像性能,使暗處細節(jié)更加清晰可見。
此外,p系列新品搭載了全面優(yōu)化的色彩工藝與先進的microlens新工藝,并利用業(yè)界頂尖材料打造color filter,提升了色彩還原度的同時,實現(xiàn)媲美bsi工藝的成像效果。相較行業(yè)同規(guī)格產(chǎn)品,sc4336p的chroma高低色溫分別相對提升了9%與12%,影像畫面更加艷麗不失真。
第一款模塊a2f12m12w2-f1是一個四組模塊,可為 dc/dc 轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。
第二款模塊a2u12m12w2-f2采用三電平t型逆變拓?fù)洌瑢?dǎo)通能效和開關(guān)能效均很出色,輸出電壓質(zhì)量穩(wěn)定。
這兩款模塊中的 mosfet采用第二代 sic 技術(shù),rds(on) x 芯片面積品質(zhì)因數(shù)非常出色,確保開關(guān)可以處理高電流,把功率損耗降至很低。每款芯片的典型導(dǎo)通電阻rds(on)都是13mΩ,全橋拓?fù)浜蛅型拓?fù)鋬煽钅K均可用于設(shè)計高功率應(yīng)用,而低熱耗散確保應(yīng)用能效出色,熱管理設(shè)計簡單。
acepack 2封裝尺寸緊湊,功率密度高,采用高效氧化鋁基板和直接覆銅 (dbc)芯片貼裝技術(shù)。外部連接是壓接引腳,方便在潛在的惡劣環(huán)境中安裝,例如,電動汽車(ev)及充電樁、儲能和太陽能的功率轉(zhuǎn)換等場景。該封裝的絕緣耐壓是2.5kvrms,內(nèi)置一個ntc溫度傳感器,可用于系統(tǒng)保護診斷功能。
15款采用sot-227小型封裝的新型fred pt®第五代600v和1200v hyperfast和ultrafast恢復(fù)整流器。vishay semiconductors整流器導(dǎo)通和開關(guān)損耗在同類器件中達到先進水平,提高高頻逆變器和軟開關(guān)或諧振電路的效率。
與mosfet或高速igbt配合使用,適用于pfc、電動(ev)/混合動力汽車(hev)電池充電站輸出整流級、太陽能逆變器增壓級和ups。這些應(yīng)用環(huán)境下,整流器導(dǎo)通損耗低于前代器件,同時反向恢復(fù)損耗低。
此外,sot-227封裝的半導(dǎo)體器件與銅基板絕緣,便于搭建通用散熱器和小型總成。
30a/600v器件采用單相橋式配置,60a-300a/600v-1200v器件采用雙二極管配置。
整流器有x型hyperfast和h型ultrafast兩種速度類型。h型整流器的優(yōu)點是導(dǎo)通損耗低,x型整流器的優(yōu)勢在于恢復(fù)速度快。器件工作溫度達+175°c。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
sfcpixel®專利技術(shù)與超低噪聲外圍讀取電路技術(shù),在成像性能層面實現(xiàn)了全面化的提升。新產(chǎn)品通過減薄內(nèi)介電層的厚度,使金屬層實現(xiàn)輕薄化,進而使感光性能得到全面提升。
以sc4336p為例,作為2.0μm小像素尺寸傳感器,其snr1s相較前代產(chǎn)品降低了18%,同時其感光度(a光)大幅提升了25%,可實現(xiàn)媲美行業(yè)2.3μm像素尺寸同規(guī)格傳感器的暗光成像性能,使暗處細節(jié)更加清晰可見。
此外,p系列新品搭載了全面優(yōu)化的色彩工藝與先進的microlens新工藝,并利用業(yè)界頂尖材料打造color filter,提升了色彩還原度的同時,實現(xiàn)媲美bsi工藝的成像效果。相較行業(yè)同規(guī)格產(chǎn)品,sc4336p的chroma高低色溫分別相對提升了9%與12%,影像畫面更加艷麗不失真。
第一款模塊a2f12m12w2-f1是一個四組模塊,可為 dc/dc 轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。
第二款模塊a2u12m12w2-f2采用三電平t型逆變拓?fù)洌瑢?dǎo)通能效和開關(guān)能效均很出色,輸出電壓質(zhì)量穩(wěn)定。
這兩款模塊中的 mosfet采用第二代 sic 技術(shù),rds(on) x 芯片面積品質(zhì)因數(shù)非常出色,確保開關(guān)可以處理高電流,把功率損耗降至很低。每款芯片的典型導(dǎo)通電阻rds(on)都是13mΩ,全橋拓?fù)浜蛅型拓?fù)鋬煽钅K均可用于設(shè)計高功率應(yīng)用,而低熱耗散確保應(yīng)用能效出色,熱管理設(shè)計簡單。
acepack 2封裝尺寸緊湊,功率密度高,采用高效氧化鋁基板和直接覆銅 (dbc)芯片貼裝技術(shù)。外部連接是壓接引腳,方便在潛在的惡劣環(huán)境中安裝,例如,電動汽車(ev)及充電樁、儲能和太陽能的功率轉(zhuǎn)換等場景。該封裝的絕緣耐壓是2.5kvrms,內(nèi)置一個ntc溫度傳感器,可用于系統(tǒng)保護診斷功能。
15款采用sot-227小型封裝的新型fred pt®第五代600v和1200v hyperfast和ultrafast恢復(fù)整流器。vishay semiconductors整流器導(dǎo)通和開關(guān)損耗在同類器件中達到先進水平,提高高頻逆變器和軟開關(guān)或諧振電路的效率。
與mosfet或高速igbt配合使用,適用于pfc、電動(ev)/混合動力汽車(hev)電池充電站輸出整流級、太陽能逆變器增壓級和ups。這些應(yīng)用環(huán)境下,整流器導(dǎo)通損耗低于前代器件,同時反向恢復(fù)損耗低。
此外,sot-227封裝的半導(dǎo)體器件與銅基板絕緣,便于搭建通用散熱器和小型總成。
30a/600v器件采用單相橋式配置,60a-300a/600v-1200v器件采用雙二極管配置。
整流器有x型hyperfast和h型ultrafast兩種速度類型。h型整流器的優(yōu)點是導(dǎo)通損耗低,x型整流器的優(yōu)勢在于恢復(fù)速度快。器件工作溫度達+175°c。
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