在1/14.46英寸光學(xué)格式采用像素尺寸2.2微米三層堆疊式傳感器
發(fā)布時(shí)間:2022/12/7 20:08:02 訪問(wèn)次數(shù):165
一款采用小型封裝的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)ic,內(nèi)置恒流控制功能,無(wú)需借助外部電路元件。新款驅(qū)動(dòng)ic有助于節(jié)省電路板空間,適用于辦公自動(dòng)化和金融設(shè)備等工業(yè)設(shè)備。
tb67s549ftg的輸出功率晶體管采用東芝的dmos fet,絕對(duì)最大額定電機(jī)輸出電壓為40v,絕對(duì)最大額定電機(jī)輸出電流為1.5a。該產(chǎn)品采用qfn24封裝,與采用qfn32封裝的東芝現(xiàn)行產(chǎn)品tb67s539ftg相比,貼裝面積縮小了36%左右。這有助于節(jié)省電路板空間。
tb67s549ftg支持4.5v至33v的電機(jī)供電電壓,睡眠模式下電流消耗為1μa,可廣泛應(yīng)用于12v/24v供電應(yīng)用。
東芝將繼續(xù)開(kāi)發(fā)適用于多類(lèi)應(yīng)用的產(chǎn)品,提供有助于簡(jiǎn)化用戶設(shè)計(jì)、節(jié)約電路板面積并降低總成本的整體解決方案。
三層堆疊式bsi全局快門(mén)(gs)圖像傳感器 og0tb。
豪威表示,這款超小尺寸圖像傳感器用于ar/vr/mr和metaverse(元宇宙)消費(fèi)設(shè)備中的眼球和面部跟蹤,封裝尺寸僅為1.64毫米×1.64毫米,采用2.2微米像素尺寸和1/14.46英寸光學(xué)格式(of)。
此外,這款cmos圖像傳感器具有400×400分辨率和超低功耗。數(shù)據(jù)顯示,og0tb bsi gs圖像傳感器在30幀/秒下的功耗僅不到7.2毫瓦。
purecel plus-s晶片堆疊技術(shù),在1/14.46英寸光學(xué)格式中采用像素尺寸為2.2微米的三層堆疊式傳感器,達(dá)到400×400分辨率,支持多點(diǎn)mipi、cphy、spi等接口。
ap64060q采用專有的閘極驅(qū)動(dòng)器,可減輕切換節(jié)點(diǎn)時(shí)產(chǎn)生的振鈴,而不會(huì)影響mosfet的開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)間。進(jìn)而可減輕由mosfet切換引起的高頻輻射電磁干擾(emi)噪聲。
ap64060q的作業(yè)環(huán)境溫度范圍為-40°c至+125°c。具備的保護(hù)功能包括過(guò)電壓保護(hù)(ovp)、欠壓鎖定(uvlo)和熱關(guān)機(jī)。該器件采用精巧的 tsot26 封裝。
ap64060q符合aec-q100 grade 1等級(jí)規(guī)范,能支持ppap文件,且以iatf 16949標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的生產(chǎn)設(shè)施中制造。
此外,這款新驅(qū)動(dòng)內(nèi)置恒流電機(jī)控制所需的電流檢測(cè)部件,電荷泵電路無(wú)需外部電容器。這樣將減少外部電路元件,進(jìn)而節(jié)省電路板空間。
來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
一款采用小型封裝的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)ic,內(nèi)置恒流控制功能,無(wú)需借助外部電路元件。新款驅(qū)動(dòng)ic有助于節(jié)省電路板空間,適用于辦公自動(dòng)化和金融設(shè)備等工業(yè)設(shè)備。
tb67s549ftg的輸出功率晶體管采用東芝的dmos fet,絕對(duì)最大額定電機(jī)輸出電壓為40v,絕對(duì)最大額定電機(jī)輸出電流為1.5a。該產(chǎn)品采用qfn24封裝,與采用qfn32封裝的東芝現(xiàn)行產(chǎn)品tb67s539ftg相比,貼裝面積縮小了36%左右。這有助于節(jié)省電路板空間。
tb67s549ftg支持4.5v至33v的電機(jī)供電電壓,睡眠模式下電流消耗為1μa,可廣泛應(yīng)用于12v/24v供電應(yīng)用。
東芝將繼續(xù)開(kāi)發(fā)適用于多類(lèi)應(yīng)用的產(chǎn)品,提供有助于簡(jiǎn)化用戶設(shè)計(jì)、節(jié)約電路板面積并降低總成本的整體解決方案。
三層堆疊式bsi全局快門(mén)(gs)圖像傳感器 og0tb。
豪威表示,這款超小尺寸圖像傳感器用于ar/vr/mr和metaverse(元宇宙)消費(fèi)設(shè)備中的眼球和面部跟蹤,封裝尺寸僅為1.64毫米×1.64毫米,采用2.2微米像素尺寸和1/14.46英寸光學(xué)格式(of)。
此外,這款cmos圖像傳感器具有400×400分辨率和超低功耗。數(shù)據(jù)顯示,og0tb bsi gs圖像傳感器在30幀/秒下的功耗僅不到7.2毫瓦。
purecel plus-s晶片堆疊技術(shù),在1/14.46英寸光學(xué)格式中采用像素尺寸為2.2微米的三層堆疊式傳感器,達(dá)到400×400分辨率,支持多點(diǎn)mipi、cphy、spi等接口。
ap64060q采用專有的閘極驅(qū)動(dòng)器,可減輕切換節(jié)點(diǎn)時(shí)產(chǎn)生的振鈴,而不會(huì)影響mosfet的開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)間。進(jìn)而可減輕由mosfet切換引起的高頻輻射電磁干擾(emi)噪聲。
ap64060q的作業(yè)環(huán)境溫度范圍為-40°c至+125°c。具備的保護(hù)功能包括過(guò)電壓保護(hù)(ovp)、欠壓鎖定(uvlo)和熱關(guān)機(jī)。該器件采用精巧的 tsot26 封裝。
ap64060q符合aec-q100 grade 1等級(jí)規(guī)范,能支持ppap文件,且以iatf 16949標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的生產(chǎn)設(shè)施中制造。
此外,這款新驅(qū)動(dòng)內(nèi)置恒流電機(jī)控制所需的電流檢測(cè)部件,電荷泵電路無(wú)需外部電容器。這樣將減少外部電路元件,進(jìn)而節(jié)省電路板空間。
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