低功耗和輕負載突發(fā)模式操作有助于應用符合能效法規(guī)
發(fā)布時間:2022/12/9 0:02:15 訪問次數(shù):284
離線ac/dc 轉換器是一個viper122模擬轉換器,集成了控制邏輯器件和800v 耐雪崩功率電路。頻率抖動技術可防止轉換器干擾其他設備,固有的低功耗和輕負載突發(fā)模式操作有助于應用符合能效法規(guī)。
工業(yè)和通用250w steval-ctm011v1參考設計的逆變級包括六個高魯棒性的stgd5h60df絕緣柵雙極晶體管(igbt)。這些晶體管的設計旨在最大限度地提升高開關頻率的能效,允許使用更小的電容和磁性元件。此外,封裝的低熱阻率還增強了晶體管的可靠性,并且緊密的參數(shù)分布有助于提高晶體管在大功率應用中并聯(lián)安全性。
pcie 5.0、ocp數(shù)據(jù)中心nvme ssd規(guī)范和e1.s等下一代技術有超大規(guī)模的需求,以實現(xiàn)更高的效能、散熱和管理。montitan平臺支持pcie 5.0、ocp數(shù)據(jù)中心nvme 2.0 ssd規(guī)范和e1.s,可滿足下一代超大規(guī)模需求。
montitan sm8366 asic是一款雙端口企業(yè)和數(shù)據(jù)中心pcie gen5 x4 nvme主控芯片,具有16個nand通道,最高支持2400mt/s。sm8366 提供業(yè)界領先的超快順序(>14gb/s)和隨機(>3.0m iops)讀寫性能,并包含一個可擴展的單/雙通道40位ddr4-3200/ddr5-4800 dram接口。采用montitan平臺的高性能sm8366釋放了曾經受限于傳統(tǒng)存儲架構的潛力,提供靈活、高完整性的解決方案,以實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心ssd設計的新標準。
sm8366 ssd主控芯片和高性能pcie gen5 montitan平臺。用戶可編程且功能豐富的平臺能夠發(fā)揮bics flash和xl-flash的潛力,并為我們共同的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心客戶開辟新的機遇,從而實現(xiàn)廣泛的應用。
將unitedsic的新d2pak-7l封裝安裝到pcb上或采用液冷的隔離金屬基板上,它將具有具備出眾的熱性能。事實上,因為這些封裝內的第四代750v sic fet的損耗非常低,所以,通常,只需pcb墊就可以提供足夠的散熱,甚至在電池充電器和電動機等功率非常高的應用中也是如此。
unitedsic提供的七個器件的導通電阻從60毫歐到9毫歐不等,適合各種應用和預算。沒有什么競爭器件能與其相比,最接近的器件也僅僅達到11毫歐.
d2pak-7l封裝的性能優(yōu)于to-247,且源極和漏極連接之間有更好的外部間隔,更方便進行pcb布局和遵守安全機構的漏電與間隙要求。更小的封裝尺寸還能減小封裝接合線的長度,這是一個重要優(yōu)勢,因為晶粒rds(on)和晶粒體積都在不斷縮小。由于線接合處更短且鷗翼形引腳長度造成的環(huán)形更小,電感會降低,從而使碳化硅開關技術可能帶來的快速di/dt速率導致的電壓峰值降低。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
離線ac/dc 轉換器是一個viper122模擬轉換器,集成了控制邏輯器件和800v 耐雪崩功率電路。頻率抖動技術可防止轉換器干擾其他設備,固有的低功耗和輕負載突發(fā)模式操作有助于應用符合能效法規(guī)。
工業(yè)和通用250w steval-ctm011v1參考設計的逆變級包括六個高魯棒性的stgd5h60df絕緣柵雙極晶體管(igbt)。這些晶體管的設計旨在最大限度地提升高開關頻率的能效,允許使用更小的電容和磁性元件。此外,封裝的低熱阻率還增強了晶體管的可靠性,并且緊密的參數(shù)分布有助于提高晶體管在大功率應用中并聯(lián)安全性。
pcie 5.0、ocp數(shù)據(jù)中心nvme ssd規(guī)范和e1.s等下一代技術有超大規(guī)模的需求,以實現(xiàn)更高的效能、散熱和管理。montitan平臺支持pcie 5.0、ocp數(shù)據(jù)中心nvme 2.0 ssd規(guī)范和e1.s,可滿足下一代超大規(guī)模需求。
montitan sm8366 asic是一款雙端口企業(yè)和數(shù)據(jù)中心pcie gen5 x4 nvme主控芯片,具有16個nand通道,最高支持2400mt/s。sm8366 提供業(yè)界領先的超快順序(>14gb/s)和隨機(>3.0m iops)讀寫性能,并包含一個可擴展的單/雙通道40位ddr4-3200/ddr5-4800 dram接口。采用montitan平臺的高性能sm8366釋放了曾經受限于傳統(tǒng)存儲架構的潛力,提供靈活、高完整性的解決方案,以實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心ssd設計的新標準。
sm8366 ssd主控芯片和高性能pcie gen5 montitan平臺。用戶可編程且功能豐富的平臺能夠發(fā)揮bics flash和xl-flash的潛力,并為我們共同的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心客戶開辟新的機遇,從而實現(xiàn)廣泛的應用。
將unitedsic的新d2pak-7l封裝安裝到pcb上或采用液冷的隔離金屬基板上,它將具有具備出眾的熱性能。事實上,因為這些封裝內的第四代750v sic fet的損耗非常低,所以,通常,只需pcb墊就可以提供足夠的散熱,甚至在電池充電器和電動機等功率非常高的應用中也是如此。
unitedsic提供的七個器件的導通電阻從60毫歐到9毫歐不等,適合各種應用和預算。沒有什么競爭器件能與其相比,最接近的器件也僅僅達到11毫歐.
d2pak-7l封裝的性能優(yōu)于to-247,且源極和漏極連接之間有更好的外部間隔,更方便進行pcb布局和遵守安全機構的漏電與間隙要求。更小的封裝尺寸還能減小封裝接合線的長度,這是一個重要優(yōu)勢,因為晶粒rds(on)和晶粒體積都在不斷縮小。由于線接合處更短且鷗翼形引腳長度造成的環(huán)形更小,電感會降低,從而使碳化硅開關技術可能帶來的快速di/dt速率導致的電壓峰值降低。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
熱門點擊
- 低功耗和輕負載突發(fā)模式操作有助于應用符合能效法規(guī)
- 微型模塊針對空間有限應用進行優(yōu)化采用緊湊的LGA-8封裝
- 模塊可提供超高的設計靈活性和高電流密度提高了系統(tǒng)效率
- EN62368-1標記并通過最新EN50155軌道標準全面測試
- 導通和開關損耗特性提高中頻功率轉換器及軟硬開關或諧振電路效率
- 外部ADC/MCU通過電流偵測引腳實時功率級N-MOSFET負載電流
- 絕緣耐壓2.5kVrms內置NTC溫度傳感器用于保護診斷功能
- 在1/14.46英寸光學格式采用像素尺寸2.2微米三層堆疊式傳感器
推薦電子資訊
- iPhone5S/iPhone5C獲工信部認證
- 庫克一直看好中國市場的巨大潛力,并且自去年3月以來他已... [詳細]