IRF1010NSTRLPBF的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
IRF1010NSTRLPBF
是否Rohs認證
符合
生命周期
Not Recommended
Objectid
8006005650
包裝說明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
風險等級
6.41
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-02-24 12:48:58
YTEOL
3
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas）
250 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
55 V
最大漏極電流 (ID)
75 A
最大漏源導通電阻
0.011 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-252
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
170 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
290 A
認證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IRF1010NSTRLPBF 場效應管的特性與應用
引言
場效應管（Field Effect Transistor, FET）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。IRF1010NSTRLPBF 是一種特定類型的 N 通道增強型場效應管，常用于高效能換流和開關應用。這種器件的簡介、工作特性以及在實際電路中的應用將是本文的主要內容。
器件簡介
IRF1010NSTRLPBF 是一款以硅為基礎的功率場效應管，它具備低導通阻抗和高擊穿電壓的特點，適用于大功率電子設備的設計。該器件的最大漏極源極電壓（Vds）可達100 V，同時具備較大的漏極電流（Id），其最大值可達到94 A。在現(xiàn)代電子設備中，IRF1010NSTRLPBF 主要被用作開關和線性調節(jié)器，廣泛適用于電源管理、電機驅動以及其他要求嚴苛的電流開關應用中。
工作原理
場效應管的工作原理主要基于電場控制導電通道的形成。對于 N 通道 FET，當柵極電壓（Vgs）高于某一閾值時，源極與漏極之間將形成導電通道，允許電流流動。IRF1010NSTRLPBF 的柵極閾值電壓通常在2-4 V之間，這使得它能夠與數(shù)字電路兼容，并適用于低電壓驅動的應用場景。
該器件的導通阻抗（Rds(on)）極低，常見值為0.08 Ω，這一特性可以有效減小功率損耗，使得設備在運行時更加高效。其反向恢復特性也十分優(yōu)越，在快速開關情況下能夠減少電壓尖峰和電流突變，這對于保護其他元件和提升電路穩(wěn)定性具有重要意義。
特性參數(shù)
IRF1010NSTRLPBF 的性能不僅受其結構設計影響，還受到溫度、電壓和電流等外部條件的顯著影響。在實際應用中，對其核心參數(shù)的理解至關重要。主要特性參數(shù)包括：
1. 漏極到源極電壓 (Vds): 最大可承受電壓為100 V。 2. 最大漏極電流 (Id): 在特定條件下可達94 A。 3. 柵極閾值電壓 (Vgs(th)): 一般在2-4 V之間。 4. 導通阻抗 (Rds(on)): 0.08 Ω，表現(xiàn)出色的導電性能。 5. 功率耗散 (Pd): 最大功耗可達到94 W。 6. 存儲溫度范圍: 合適的存儲條件能夠保證器件的長期穩(wěn)定性。
除了以上參數(shù)，IRF1010NSTRLPBF 還具有較好的熱管理能力，這使得其在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運行，降低了因過熱引起的故障風險。
應用領域
IRF1010NSTRLPBF 的應用領域相當廣泛，涵蓋了從消費電子到工業(yè)自動化的多個領域。以下是一些具體應用實例：
1. 電源開關: 其低導通阻抗和高電流承載能力使其非常適合用作開關電源中的開關元件，能有效提高能量轉換效率。 2. 電機驅動器: 在電機控制系統(tǒng)中，IRF1010NSTRLPBF 可以用于 H 橋電路，能快速有效地控制電機的轉動方向和速度。
3. 電源管理系統(tǒng): 該器件常被用于 DC-DC 轉換器和電池管理系統(tǒng)，保證電壓轉換的可靠性與穩(wěn)定性。
4. 電氣保護: IRF1010NSTRLPBF 也被用于電路中的過壓保護和反向電流保護，有助于保護其他敏感元件。
5. 開關模式電源 (SMPS): 在開關模式電源中，IRF1010NSTRLPBF 提供了高效的能量轉換和良好的電源穩(wěn)定性，因此在多個領域如計算機電源和通信設備中得到廣泛應用。
發(fā)展趨勢
隨著科技的不斷進步，場效應管的技術也在不斷發(fā)展。面對更高效能、更高環(huán)保標準的市場需求，IRF1010NSTRLPBF 及其后續(xù)產品可能會繼續(xù)推進更小型化、低功耗及高效能的方向發(fā)展。目前，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等新型材料正逐漸受到關注，這些材料提供了更好的熱穩(wěn)定性和更高的電流密度，未來可能會與傳統(tǒng)的硅基場效應管形成競爭關系。
結論
IRF1010NSTRLPBF 是一款具有優(yōu)異性能的 N 通道增強型場效應管，其在高效能開關和電源管理領域的廣泛應用體現(xiàn)了其重要性。從工作原理到應用領域，其特性參數(shù)與性能優(yōu)勢為各種電子設備的發(fā)展提供了支持。然而，科技的進步可能會帶來新的材料和技術，對現(xiàn)有產品提出新的挑戰(zhàn)與機遇。因此，持續(xù)的研究與創(chuàng)新將是推動該領域進步的關鍵。
IRF1010EPBF
IR(國際整流器)
ALT3232M-151-T001
TDK(東電化)
KTY81/210
Philips(飛利浦)
LD1117AG-33-AA3-A-R
UTC(友順)
2N7000
Fairchild(飛兆/仙童)
DAC7744EC
TI(德州儀器)
FSBB10CH120DF
ON(安森美)
LF347N
ST(意法)
MCIMX257DJM4A
NXP(恩智浦)
MT28EW256ABA1HJS-0SIT
micron(鎂光)
150060GS75000
Wurth(伍爾特)
BCM84891LB0KFEBG
Broadcom(博通)
CSD19502Q5B
TI(德州儀器)
FYV0704SMTF
Freescale(飛思卡爾)
HMC814LC3B
ADI(亞德諾)
NR3015T2R2M
TAIYO YUDEN(太誘)
STM32L475RGT6
ST(意法)
ADSP-TS201SABPZ-060
ADI(亞德諾)
ATXMEGA256A3-MH
Microchip(微芯)
EL6N137
Freescale(飛思卡爾)
MAX-M10S-00B
U-BLOX(優(yōu)北羅)
MCP3204-CI/SL
Microchip(微芯)
MP24894GJ-Z
MPS(美國芯源)
NB7VPQ904MMUTWG
ON(安森美)
NCV7344D10R2G
ON(安森美)
TLE4997E2
Infineon(英飛凌)
AD5679RBCPZ-1
ADI(亞德諾)
DM9000BIEP
DAVICOM(聯(lián)杰國際)
DSPIC33EP512MC806-I/PT
Microchip(微芯)
FIN3386MTDX
ON(安森美)
M95FA-03-STDN
移遠 Quectel
OPA2132UA
Burr-Brown(TI)
PIC16F18313T-I/SN
Microchip(微芯)
TLE7181EM
Infineon(英飛凌)
TMS320F28069PFPQ
TI(德州儀器)
DS90UB921TRHSRQ1
TI(德州儀器)
EPM3256ATC144-7N
ALTERA(阿爾特拉)
MX25L12835FZ2I-10G
MXIC(旺宏)
TS5A22362DGSR
TI(德州儀器)
MFI341S2313
Renesas(瑞薩)
RTS5411S-GR
REALTEK(瑞昱)
STGIPL14K60
ST(意法)
XH414HG-IV01E
SII Semiconductor Corporation
ADG444BRZ
ADI(亞德諾)
ASM1061
AMS(艾邁斯)
NCP1395BDR2G
ON(安森美)
NDT3055
ON(安森美)
PIC18F25K20-I/SO
Microchip(微芯)
TL074CPWR
TI(德州儀器)
1054500101
Molex(莫仕)
AD8402ARZ100
ADI(亞德諾)
LSF0204QPWRQ1
TI(德州儀器)
PIC16F1718T-I/SS
Microchip(微芯)
AD5320BRMZ
ADI(亞德諾)
MC56F82748VLH
Freescale(飛思卡爾)
RFSW8000TR7
Qorvo(威訊聯(lián)合)
SN74LS14N
MOT(仁懋)
DRV8889QPWPRQ1
TI(德州儀器)
MJD44E3T4G
ON(安森美)
MPX5700ASX
Freescale(飛思卡爾)
NSA2860
R5F10BGGCLFB#15
Renesas(瑞薩)
TCA9406YZPR
TI(德州儀器)
WM8731CLSEFL/R
CirrusLogic(凌云邏輯)
CS51414EDR8G
ON(安森美)
H20R1203
Infineon(英飛凌)
MC34063ADG
ON(安森美)
MX66L1G45GMI-10G
MXIC(旺宏)
NT5CB64M16FP-DH
Nanya Technology
PDTD113ZT
NXP(恩智浦)
RX8025T-UB
EPSON(愛普生)
CGH40045F
CREE(科銳)
LM62440CPPQRJRRQ1
TI(德州儀器)
TPS7A02185PDQNR
TI(德州儀器)
74HC74PW
Philips(飛利浦)
ATXMEGA384C3-MH
Microchip(微芯)
FSBB15CH120D
ON(安森美)
G2898KD1U
GMT(致新)
HDMIULC6-4SC6
ST(意法)
LM2904VQDRQ1
TI(德州儀器)
MT6323LGA
MediaTek.Inc(聯(lián)發(fā)科)
NJVNJD35N04T4G
ON(安森美)
ST72F324BJ6T6
ST(意法)
STW70N60M2
ST(意法)
XC7Z030-2FBG484I
XILINX(賽靈思)
74HC125PW
NXP(恩智浦)
AD5320BRTZ
ADI(亞德諾)
MPX5050DP
MOTOROLA(摩托羅拉)
NCP3066DR2G
ON(安森美)
TP3067WM
TI(德州儀器)
UPD720210K8-BAF-A
Renesas(瑞薩)
88E6083-B0-LGR1C000
Marvell(美滿)
CH340B
WCH(南京沁恒)
EM2140P01QI
ALTERA(阿爾特拉)
EPM7128STI100-10
ALTERA(阿爾特拉)
KSZ9563RNXI
Microchip(微芯)
MIMXRT1024CAG4A
NXP(恩智浦)
STM32F303K8T6
ST(意法)
STM32F756BGT6
ST(意法)
SY8105ADC
SILERGY(矽力杰)
TC4427EOA
TOSHIBA(東芝)
UXN14M9P
Microsemi(美高森美)
IGCM15F60GA
Infineon(英飛凌)
