針孔。針孔會(huì)破壞氧化膜的雜質(zhì)掩蔽能力,會(huì)造成器件漏電流的增大,甚者會(huì)使器件擊穿而失效。TD1501-5.0由于晶圓拋光效果不好,存在嚴(yán)重位錯(cuò),在位錯(cuò)處不能形成s⒑2,于是產(chǎn)生針孔。針孔對(duì)器件的危害很大且不易發(fā)現(xiàn),因此要采用化學(xué)腐蝕法、電解染色法、陽(yáng)極氧化法以及電解鍍銅法等方法檢驗(yàn)。為了消除針孔,應(yīng)嚴(yán)格選擇襯底材料,表面應(yīng)平整、光亮,而且要加強(qiáng)清潔。

   氧化層層錯(cuò):將氧化后的硅片先經(jīng)過(guò)腐蝕顯示,再用顯微鏡觀察,可以看到很多類(lèi)似火柴桿狀的缺陷。氧化層層錯(cuò)會(huì)使氧化膜出現(xiàn)針孔等,最終導(dǎo)致PN結(jié)反向漏電流增大,耐壓降低甚至穿通,使器件失效。在MOs器件中,si/s⒑2系統(tǒng)中的層錯(cuò)會(huì)使載流子遷移率下降,影響跨導(dǎo)和開(kāi)關(guān)速度。因此要保證硅片表面拋光質(zhì)量和表面清洗質(zhì)量,采用摻氯氧化和吸雜技術(shù),在硅片背面引入缺陷或造成很大應(yīng)力來(lái)降低熱氧化層錯(cuò)。