因?yàn)椴煌�注入條件下所形成的晶格損傷情況相差很大,各種器件對電學(xué)參數(shù)恢復(fù)程度的要求又不相同,所以具體退火條件和退火方式要根據(jù)實(shí)際注入情況和要求而定。A3245EUA-T隨著集成電路的發(fā)展,對損傷消除以及電學(xué)參數(shù)恢復(fù)程度的要求也越來越高,常規(guī)熱退火已經(jīng)不能完全滿足要求,因?yàn)樗�不能完全消除缺�?而且又會(huì)產(chǎn)生二次缺陷,高劑量注入時(shí)的電激活率也不夠高,要想完全激活某些雜質(zhì)所需要的退火溫度至少要達(dá)到1000℃。同時(shí),在熱退火過程中,整個(gè)晶片(包括注入層和襯底)都要經(jīng)受一次高溫處理,增加了表面污染,特別是高溫長時(shí)間的熱退火會(huì)導(dǎo)致明顯的雜質(zhì)再分布,破壞了離子注入技術(shù)固有的優(yōu)點(diǎn),過大的溫度梯度也可能造成硅片的翹曲變形,這些都限制了常規(guī)的熱退火方法在ULSI中的應(yīng)用。

   隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,對損傷區(qū)、電學(xué)參數(shù)恢復(fù)程度,以及注入離子電激活率的要求也越來越高,常規(guī)的熱退火方法已經(jīng)不能滿足要求,一些快速退火技術(shù)得到了發(fā)展。

   快速退火的目的就是通過降低退火溫度,或者縮短退火時(shí)間完成退火�？焖偻�火技術(shù)目前有脈沖激光、脈沖電子束與離子束、掃描電子束、連續(xù)波激光以及非相干寬帶光源(如鹵燈、電弧燈、石墨加熱器)等。它們的共同特點(diǎn)是短時(shí)間內(nèi)使硅片的某個(gè)區(qū)域加熱到所需要的溫度,并在較短的時(shí)間內(nèi)(103~102s)完成退火。