集成電路制造中要進行多次工藝過程,包括光刻、氧化、金屬化和清洗等。光A3245LLHLT刻工藝是指通過勻膠、前烘、對準(zhǔn)曝光、顯影、后烘等工藝步驟,將設(shè)計文件上的信息轉(zhuǎn)移到晶圓上的過程。集成電路制造過程中往往要用幾十道的光刻工序。

   光刻工藝流程

   涂光刻膠

   清洗晶圓,在200℃溫度下烘干1h。目的是防止水汽引起光刻膠薄膜出現(xiàn)缺陷。待晶圓冷卻下來,立即涂光刻膠。光刻膠有兩種:正性膠與負(fù)性膠。正性膠顯影后去除的是經(jīng)曝光的區(qū)域的光刻

膠,負(fù)性膠顯影后去除的是未經(jīng)曝光的區(qū)域的光刻膠。正性膠適合作窗口結(jié)構(gòu),如接觸孔、焊盤等,而負(fù)性膠適用于做長條形狀如多晶硅和金屬布線等。

   光刻膠對大部分可見光靈敏,對黃光不靈敏,可在黃光下操作。涂了光刻膠的晶圓再次進行高溫烘烤,將溶劑蒸發(fā)掉,準(zhǔn)備曝光。