將掩模版置于光刻膠層上,用一定波長(zhǎng)的紫外線照射,使光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。A3245LLHLT-T若不是第一次光刻圖形,應(yīng)保證本次光刻圖形與硅片上己有的前幾次光刻圖形的套準(zhǔn)。套準(zhǔn)精度直接影響器件的成品率。光源可以是可見(jiàn)光紫外線、X射線和電子束。曝光光量的大小和時(shí)間取決于光刻膠的型號(hào)、厚度和成像深度。

   顯影

   經(jīng)過(guò)曝光后的光刻膠中受到紫外線照射的部分因發(fā)生化學(xué)反應(yīng),大大地改變了這部分光刻膠在顯影液中的溶解度。

   晶圓用真空吸盤(pán)吸牢,高速旋轉(zhuǎn),將顯影液噴射到晶圓上。顯影后,用清潔液噴洗,將光刻后的圖形顯現(xiàn)出來(lái)。影響顯影效果的主要因素包括顯影液的濃度、溫度及顯影時(shí)間等。顯影之后,若圖形的尺寸不滿足要求,可以返工,只需去掉光刻膠,重新進(jìn)行上述各步工藝。