在通有氮?dú)獾暮嫦渲泻婵緢?jiān)膜,堅(jiān)膜時(shí)間太長,光刻膠會(huì)流動(dòng),破壞圖形;堅(jiān)膜時(shí)間太短, A3245LUA溶劑沒有完全蒸發(fā),膠與硅片的黏附性差,腐蝕時(shí)會(huì)出現(xiàn)脫膠現(xiàn)象,導(dǎo)致圓片報(bào)廢。

   刻蝕

   經(jīng)過上述工藝步驟之后,就可以進(jìn)行刻蝕或離子注入了。由于光刻膠具有抗刻蝕性能,所以刻蝕只是將沒有光刻膠膜保護(hù)的區(qū)域腐蝕掉。刻蝕的目的是把經(jīng)曝光、顯影后光刻膠微圖形下層材料的裸露部分去掉,即在下層材料上重現(xiàn)與光刻膠相同的圖形�？涛g方法分為干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料。