結果表明,PMOS晶體管的亞閾值斜率要比NMOs晶體管的大一些。這主要CAP003DG是受到弱反型層載流子的遷移率的影響。空穴的遷移率要略小于電子,這就使得增大到同樣數量級的漏極電流PMOS晶體管需要更大一些的柵電壓來增強反型層對載流子的輸運作用。

   從亞閾值斜率定義可以看出,s表征的是柵電壓對溝道電流的控制能力。溫度的升高引起s的線性增加,即為了達到相同的漏極電流水平亞閾區柵壓要相應地增加。這就表明了器件的亞閾性能出現了退化,使得其開關性能變差。同時,s的增大也會導致器件漏極電流增加,靜態功耗變大,這對大規模集成電路有著重要影響。

   參考文獻

   [I]劉恩科,朱秉生,羅晉生,等。半導體物理學,北京:國防工業出版社,2003

   [2]王志功,陳瑩梅。集成電路設計(第3版).北京:電子工業出版社,2013

  卩]高保嘉.MOS VLSI分析與設計.北京:電子工業出版社,2002年

[刨 ASTM-F1259M9ⅨReapprovcd 2003).Stalldard Godc for Dcs圯n of Flat,S饣aight-Line Tcst Struc仉lrcs for Dctccting Mctallization opcn-Circuit or Resistance-Incrcasc F缸lurc Duc to Elec廿om坨rat0n[MCtric]

   [5]A.J.van Roosm甜en and GQ。Zhang.M憶roclcctronics and Rel楊沁iⅡty2006,46⑿~11)∶1403

   [6]Kole,TM.scmiconductor rclhbihγ challCngcs from thc fablcss cOmpanypcrspcctive[C⒈RClhbility Physics symposium Proceedings,2003,41st Annual,2003EEE Intc1△ational∶9

[7]BsIM3v3,2MOsFET MODEL Users’Manual[8]莊奕琪主編。微電子器件應用可靠性技術。北京:電子工業出版社,1996[9l孟慶巨,劉海波,孟慶輝.半導體器件物理.北京:科學出版社,20O5

   [1Ol馮耀蘭,翟書兵,寬溫區MOS器件高溫特性模擬。電子件,1995,⒄(12): 234

   [11]張敏,沈克強.功率VDMOs器件的參數漂移與失效機理.東南大學研究生學報,5(I):154