柵氧化層厚度不同時(shí)溝道橫向電場(chǎng)的分布
發(fā)布時(shí)間:2016/7/2 18:50:38 訪問次數(shù):1134
柵氧厚度在3.2~‰m范圍內(nèi),橫向電場(chǎng)的分布變化不大,最大的橫向電場(chǎng)的位置保持不變,處在漏端(F0.54um)附近。但氧化層厚度減薄,使得氧化層中的縱向AD8056ARM電場(chǎng)增大,這有利于電子注入氧化層中,從圖10.12中可以得到證實(shí)。因此隨著氧化層厚度縮小,在漏端附近被加速的反型層電子與晶格原子碰撞更加激烈,產(chǎn)生碰撞電離更多,也就有更多載流子從溝道電場(chǎng)中獲得足夠的能量越過s√s⒑2界面 勢(shì)壘被陷阱俘獲或產(chǎn)生界面態(tài),最終導(dǎo)致NMOs器件電參數(shù)漂移惡化。
圖10.12 柵氧化層厚度不同時(shí)溝道橫向電場(chǎng)的分布
柵氧厚度在3.2~‰m范圍內(nèi),橫向電場(chǎng)的分布變化不大,最大的橫向電場(chǎng)的位置保持不變,處在漏端(F0.54um)附近。但氧化層厚度減薄,使得氧化層中的縱向AD8056ARM電場(chǎng)增大,這有利于電子注入氧化層中,從圖10.12中可以得到證實(shí)。因此隨著氧化層厚度縮小,在漏端附近被加速的反型層電子與晶格原子碰撞更加激烈,產(chǎn)生碰撞電離更多,也就有更多載流子從溝道電場(chǎng)中獲得足夠的能量越過s√s⒑2界面 勢(shì)壘被陷阱俘獲或產(chǎn)生界面態(tài),最終導(dǎo)致NMOs器件電參數(shù)漂移惡化。
圖10.12 柵氧化層厚度不同時(shí)溝道橫向電場(chǎng)的分布
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