微組裝技術(shù)是在SMT的基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展起來(lái)的, 目前仍處于發(fā)展階段和局部領(lǐng)域應(yīng)用的階段。AAT3510IGV-2.93-C-C-T1主要技術(shù)有以下三層次。

   (1)多芯片組件(MCM)。多芯片組件是由厚膜混合集成電路發(fā)展起來(lái)的一種組裝技術(shù),可以理解為集成電路的集成(二次集成),其主要特征如下。

   ①所用IC為L(zhǎng)sI/VLSI。

   ②℃占基板面積大于⒛%。

   ③基板層數(shù)大于4。

   ④組件yo引腳數(shù)大于100。

   采用的基板有三種類(lèi)型。

   ①PCB板,密度不高,成本低。

   ②陶瓷燒結(jié)板,采用厚膜工藝,密度較高,成本高。

   ③半導(dǎo)體片,以硅片為基板,采用薄膜工藝,密度高。

   由于MCM技術(shù)難度大、投資高、成品率低,因而造價(jià)高,目前僅限于要求高可靠的領(lǐng)域。例如由MCM技術(shù)制造的越級(jí)計(jì)算機(jī),以78層厚膜、8層薄膜組成基板,裝上1oo個(gè)⒛000門(mén)VLSI芯片,引腳11540根,運(yùn)算速度55億次/s,若不采用MCM是無(wú)法達(dá)到的。

   (2)硅大圓片組裝(Wm/HwsI)。采用硅大圓片作為安裝基板,將芯片組裝到硅大圓片上而形成電子組件,可進(jìn)一步增大安裝密度。硅大圓片(WSI)是按￡工藝制成互聯(lián)功能的基片,將多片IC芯片安裝到基片上形成新組件。混合大圓片(HWSI)是在硅片上沉淀有機(jī)或無(wú)機(jī)薄膜,多層互聯(lián),組裝多片IC裸片(大于25片)。這種技術(shù)難度大,成品率低。

  (3)三維組裝(3D)。是將IC、MCM、WsI進(jìn)行三維疊裝,進(jìn)一步縮短引腳,增加 密度。